规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 620V 4.4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 620V 4.4A(Tc) 28W(Tc) TO-220FP
型号:
NDF04N62ZG
仓库库存编号:
NDF04N62ZGOS-ND
别名:NDF04N62ZG-ND
NDF04N62ZGOS
规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V TO-220FP-3
详细描述:通孔 N 沟道 500V 5A(Tc) 28W(Tc) TO-220F(LG 成形)
型号:
FDPF5N50TYDTU
仓库库存编号:
FDPF5N50TYDTU-ND
规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO-262F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 28W(Tc) TO-262F
型号:
AOWF11C60
仓库库存编号:
785-1656-5-ND
别名:785-1656-5
规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 10A TO262F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 28W(Tc) TO-262F
型号:
AOWF10T60
仓库库存编号:
AOWF10T60-ND
规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 12A TO262F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 12A(Tc) 28W(Tc) TO-262F
型号:
AOWF12T60
仓库库存编号:
AOWF12T60-ND
规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 10A(Tc) 28W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR014NTRL
仓库库存编号:
IRLR014NTRL-ND
规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 10A(Tc) 28W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR014NTR
仓库库存编号:
IRLR014NTR-ND
规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 10A(Tc) 28W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR014NTRR
仓库库存编号:
IRLR014NTRR-ND
规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 10A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 10A(Tc) 28W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU014N
仓库库存编号:
IRLU014N-ND
别名:*IRLU014N
规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 10A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 10A(Tc) 28W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU014NPBF
仓库库存编号:
IRLU014NPBF-ND
别名:*IRLU014NPBF
SP001553250
规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 10A(Tc) 28W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR014NPBF
仓库库存编号:
IRLR014NPBF-ND
别名:*IRLR014NPBF
SP001577034
规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 10A(Tc) 28W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR014NTRPBF
仓库库存编号:
IRLR014NTRPBF-ND
规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.1A(Tc) 28W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R600CPXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R600CPXKSA1-ND
别名:IPA60R600CP
IPA60R600CP-ND
SP000405884
规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 10A(Tc) 28W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRLR014N
仓库库存编号:
AUIRLR014N-ND
别名:SP001518258
规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
无铅
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MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 500V 7.6A(Tc) 28W(Tc) PG-TO220FP
型号:
IPA50R500CE
仓库库存编号:
IPA50R500CEIN-ND
别名:IPA50R500CEIN
IPA50R500CEXKSA1
SP000939320
规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
无铅
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MOSFET N-CH 600V TO-251-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.1A(Tc) 28W(Tc) TO-251
型号:
IPU60R1K5CEBKMA1
仓库库存编号:
IPU60R1K5CEBKMA1-ND
别名:SP001276062
规格:功率耗散(最大值) 28W(Tc),
无铅
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