规格:功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),2.5W(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.6A(Tc) 1.25W(Ta),2.5W(Tc) TO-236
型号:
SI2369DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2369DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2369DS-T1-GE3CT
规格:功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),2.5W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.1A(Tc) 1.25W(Ta),2.5W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2333CDS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2333CDS-T1-E3CT-ND
别名:SI2333CDS-T1-E3CT
规格:功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),2.5W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.9A(Tc) 1.25W(Ta),2.5W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2343CDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2343CDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2343CDS-T1-GE3CT
规格:功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),2.5W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Tc) 1.25W(Ta),2.5W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2323CDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2323CDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2323CDS-T1-GE3CT
规格:功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),2.5W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.1A(Tc) 1.25W(Ta),2.5W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2392ADS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2392ADS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2392ADS-T1-GE3CT
规格:功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),2.5W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.4A(Tc) 1.25W(Ta),2.5W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2319CDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2319CDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2319CDS-T1-GE3CT
规格:功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),2.5W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Tc) 1.25W(Ta),2.5W(Tc)
型号:
SI2324DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2324DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2324DS-T1-GE3CT
规格:功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),2.5W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.1A(Tc) 1.25W(Ta),2.5W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2333CDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2333CDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2333CDS-T1-GE3CT
规格:功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),2.5W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 3.1A(Tc) 1.25W(Ta),2.5W(Tc) SOT-23
型号:
SI2392DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2392DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2392DS-T1-GE3CT
规格:功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),2.5W(Tc),
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