规格:功率耗散(最大值) 690mW(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 690mW(Ta) U-DFN2020-6(E 类)
型号:
DMN1019UFDE-7
仓库库存编号:
DMN1019UFDE-7DICT-ND
别名:DMN1019UFDE-7DICT
规格:功率耗散(最大值) 690mW(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mA(Ta) 690mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
NTR4003NT1G
仓库库存编号:
NTR4003NT1GOSCT-ND
别名:NTR4003NT1GOSCT
规格:功率耗散(最大值) 690mW(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 25V 7.3A 6DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.3A(Ta) 690mW(Ta) 6-DFN2020(2x2)
型号:
DMP2039UFDE4-7
仓库库存编号:
DMP2039UFDE4-7DICT-ND
别名:DMP2039UFDE4-7DICT
规格:功率耗散(最大值) 690mW(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V SOT-23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mA(Ta) 690mW(Ta) SOT-23(TO-236AB)
型号:
NVR4003NT3G
仓库库存编号:
NVR4003NT3GOSCT-ND
别名:NVR4003NT3GOSCT
规格:功率耗散(最大值) 690mW(Ta),
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