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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.8A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD23280F3T
  仓库库存编号：296-44150-1-ND
  别名：296-44150-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 1.25W（Ta） 6-UDFNB（2x2）
  
  型号：SSM6J512NU,LF
  仓库库存编号：SSM6J512NULFCT-ND
  别名：SSM6J512NULFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 1.56W（Ta），2.8W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1422DH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1422DH-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1422DH-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6L
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Tc） 2.4W（Ta），13W（Tc） PowerPAK? SC-75-6L 单
  
  型号：SIB441EDK-T1-GE3
  仓库库存编号：SIB441EDK-T1-GE3CT-ND
  别名：SIB441EDK-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA447DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA447DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA447DJ-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CHAN 12V SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Tc） 2W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SQ2315ES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2315ES-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2315ES-T1_GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 2A 600mW Surface Mount TSMT6 (SC-95)
  
  型号：QS6J11TR
  仓库库存编号：QS6J11CT-ND
  别名：QS6J11TRCT
  QS6J11TRCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 2W（Ta），4.2W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3477DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3477DV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3477DV-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT-6
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 2.5A 700mW Surface Mount SuperSOT?-6
  
  型号：FDC6318P
  仓库库存编号：FDC6318PCT-ND
  别名：FDC6318PCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 2.3W（Ta），5.7W（Tc） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5406CDC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5406CDC-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5406CDC-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 12V 6DSBGA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Ta） 1.9W（Ta） 6-DSBGA（1x1.5）
  
  型号：CSD13306WT
  仓库库存编号：296-41134-1-ND
  别名：296-41134-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.7A（Ta） 52W（Ta） TO-252
  
  型号：FDD306P
  仓库库存编号：FDD306PCT-ND
  别名：FDD306PCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 6-MLP 2X2
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
  
  型号：FDMA905P
  仓库库存编号：FDMA905PFSCT-ND
  别名：FDMA905PFSCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7858BDP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7858BDP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7858BDP-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8.2A（Ta） 1.05W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6423DQ-T1-E3
  仓库库存编号：SI6423DQ-T1-E3CT-ND
  别名：SI6423DQ-T1-E3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7102DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7102DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7102DN-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR494DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR494DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR494DP-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7858ADP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7858ADP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7858ADP-T1-E3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4866DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4866DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4866DY-T1-E3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.3A（Ta） 800mW（Ta） TUMT3
  
  型号：RZF013P01TL
  仓库库存编号：RZF013P01TLCT-ND
  别名：RZF013P01TLCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 700mW（Ta） 6-WEMT
  
  型号：RW1A030APT2CR
  仓库库存编号：RW1A030APT2CRCT-ND
  别名：RW1A030APT2CRCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 5.6A 1.4W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
  
  型号：DMN1029UFDB-7
  仓库库存编号：DMN1029UFDB-7DICT-ND
  别名：DMN1029UFDB-7DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
  
  型号：SI1965DH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1965DH-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1965DH-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 1W（Ta） TSMT3
  
  型号：RZR025P01TL
  仓库库存编号：RZR025P01TLCT-ND
  别名：RZR025P01TLCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 12V 22A 3PICOSTAR
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD23382F4T
  仓库库存编号：296-37874-1-ND
  别名：296-37874-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 12V,
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