规格:漏源电压(Vdss) 12V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(423)
分立半导体产品
(423)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (16)
Diodes Incorporated (44)
Infineon Technologies (44)
Micro Commercial Co (5)
Nexperia USA Inc. (15)
NXP USA Inc. (1)
Fairchild/ON Semiconductor (14)
ON Semiconductor (37)
Panasonic Electronic Components (7)
Renesas Electronics America (2)
Rohm Semiconductor (40)
STMicroelectronics (2)
Texas Instruments (19)
Toshiba Semiconductor and Storage (11)
Vishay Siliconix (166)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 16A MICROFOOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Tc) 2.77W(Ta),13W(Tc) 6-Micro Foot?
型号:
SI8483DB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8483DB-T2-E1CT-ND
别名:SI8483DB-T2-E1CT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.9A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
型号:
CSD13383F4T
仓库库存编号:
296-38621-1-ND
别名:296-38621-1
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V MICROFOOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.1W(Ta),2.7W(Tc) 4-MICRO FOOT?(1.6x1.6)
型号:
SI8457DB-T1-E1
仓库库存编号:
SI8457DB-T1-E1CT-ND
别名:SI8457DB-T1-E1CT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
型号:
SIA913ADJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA913ADJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA913ADJ-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 800mW(Ta) TUMT3
型号:
RZF030P01TL
仓库库存编号:
RZF030P01TLCT-ND
别名:RZF030P01TLCT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 12V 6.6A 6-UFDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.6A(Ta) 613mW(Ta) X1-DFN1616-6(E 类)
型号:
DMP1245UFCL-7
仓库库存编号:
DMP1245UFCL-7DICT-ND
别名:DMP1245UFCL-7DICT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Ta) 1W(Ta) TUMT6
型号:
RZL035P01TR
仓库库存编号:
RZL035P01CT-ND
别名:RZL035P01CT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 25A PPAK CHIPFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 25A(Tc) 3.1W(Ta),31W(Tc) PowerPAK? ChipFET 单通道
型号:
SI5411EDU-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5411EDU-T1-GE3CT-ND
别名:SI5411EDU-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.2A(Ta) 1W(Ta) 4-DSBGA(1x1)
型号:
CSD23202W10T
仓库库存编号:
296-38338-1-ND
别名:296-38338-1
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 2A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 750mW(Ta) SC-70-6
型号:
FDG330P
仓库库存编号:
FDG330PCT-ND
别名:FDG330PCT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.5A 1.5W Surface Mount TSMT8
型号:
QS8J1TR
仓库库存编号:
QS8J1CT-ND
别名:QS8J1CT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 4.2W(Ta),36W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR492DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR492DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR492DP-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 4.5A TSST8
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.5A(Ta) 650mW(Ta) 8-TSST
型号:
RT1A045APTCR
仓库库存编号:
RT1A045APTCRCT-ND
别名:RT1A045APTCRCT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.5A(Ta) 1.25W(Ta) TSMT6(SC-95)
型号:
RZQ045P01TR
仓库库存编号:
RZQ045P01CT-ND
别名:RZQ045P01CT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 5A TSST8
详细描述:表面贴装 P 沟道 5A(Ta) 600mW(Ta) 8-TSST
型号:
RT1A050ZPTR
仓库库存编号:
RT1A050ZPCT-ND
别名:RT1A050ZPCT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7858ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7858ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7858ADP-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 500MA 0806
详细描述:表面贴装 N 沟道 12V 500mA(Tc) 1.25W(Ta) PowerPAK? 0806
型号:
SIUD412ED-T1-GE3
仓库库存编号:
SIUD412ED-T1-GE3CT-ND
别名:SIUD412ED-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
Micro Commercial Co
MOSFET P-CH 12V 16A DFN202
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 16A(Ta) 2.5W(Ta), 18W(Tc) DFN2020-6J
型号:
MCM1216-TP
仓库库存编号:
MCM1216-TPMSCT-ND
别名:MCM1216-TPMSCT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 12V 14A UDFN6B
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 14A(Ta) 1.25W(Ta) 6-UDFNB(2x2)
型号:
SSM6J511NU,LF
仓库库存编号:
SSM6J511NULFCT-ND
别名:SSM6J511NULFCT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
Texas Instruments
12V N-CHANNEL FEMTOFET MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 12V 3.6A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
型号:
CSD13380F3T
仓库库存编号:
296-45086-1-ND
别名:296-45086-1
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 5.4A(Ta) 500mW(Ta) UFM
型号:
SSM3J132TU,LF
仓库库存编号:
SSM3J132TULFCT-ND
别名:SSM3J132TULFCT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L
详细描述:表面贴装 N 沟道 12V 9A(Tc) 2.5W(Ta),13W(Tc)
型号:
SIB404DK-T1-GE3
仓库库存编号:
SIB404DK-T1-GE3CT-ND
别名:SIB404DK-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 12V 6WLCSP
详细描述:表面贴装 N 沟道 12V 7.3A(Ta) 556mW(Ta), 12.5W(Tc) 6-WLCSP(1.48x.98)
型号:
PMCM6501VNEZ
仓库库存编号:
1727-2688-1-ND
别名:1727-2688-1
568-13207-1
568-13207-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
Texas Instruments
12V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 12V 4.3A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
型号:
CSD13385F5T
仓库库存编号:
296-45087-1-ND
别名:296-45087-1
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 12V 3.3A U-WLB1010-4
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 3A(Ta),3.3A(Ta) 820mW(Ta) U-WLB1010-4
型号:
DMP1081UCB4-7
仓库库存编号:
DMP1081UCB4-7DICT-ND
别名:DMP1081UCB4-7DICT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号