规格:漏源电压(Vdss) 12V,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.7A(Ta) 1.73W(Ta) TSOT-26
型号:
DMN1019UVT-7
仓库库存编号:
DMN1019UVT-7DICT-ND
别名:DMN1019UVT-7DICT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.5A(Ta) 1W(Ta) TUMT6
型号:
RZL025P01TR
仓库库存编号:
RZL025P01CT-ND
别名:RZL025P01CT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 1.3A 320mW Surface Mount UMT6
型号:
US6J11TR
仓库库存编号:
US6J11CT-ND
别名:US6J11CT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 7.8A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.8A(Tc) 2W(Ta),3W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3447CDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3447CDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3447CDV-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 4A TSST8
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 1.25W(Ta) 8-TSST
型号:
RT1A040ZPTR
仓库库存编号:
RT1A040ZPCT-ND
别名:RT1A040ZPCT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS452DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS452DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS452DN-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.3A(Ta) 1.3W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML6401GTRPBF
仓库库存编号:
IRLML6401GTRPBFCT-ND
别名:IRLML6401GTRPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7410TRPBF
仓库库存编号:
IRF7410TRPBFCT-ND
别名:IRF7410TRPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.1A(Ta) 660mW(Ta) U-DFN2020-6(E 类)
型号:
DMP1022UFDE-7
仓库库存编号:
DMP1022UFDE-7DICT-ND
别名:DMP1022UFDE-7DICT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 76A 6SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta) 2.7W(Ta) 6-WSON(2x2)
型号:
CSD13202Q2
仓库库存编号:
296-38911-1-ND
别名:296-38911-1
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 12V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
型号:
SIA533EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA533EDJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA533EDJ-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Tc) 2W(Ta),4.2W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3473CDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3473CDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3473CDV-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 34A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Tc) 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SO
型号:
SI4838BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4838BDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4838BDY-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
详细描述:表面贴装 P 沟道 80A(Tc) 2.4W(Ta),48W(Tc) Power33
型号:
FDMC610P
仓库库存编号:
FDMC610PCT-ND
别名:FDMC610PCT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4838DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4838DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4838DY-T1-E3CT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 12V 5.5A DFN2015-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.5A(Ta) 700mW(Ta)
型号:
DMP1045UFY4-7
仓库库存编号:
DMP1045UFY4-7DICT-ND
别名:DMP1045UFY4-7DICT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 700mA 300mW Surface Mount SC-70-6
型号:
FDG6316P
仓库库存编号:
FDG6316PCT-ND
别名:FDG6316PCT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.1A(Tc) 1.25W(Ta),2.5W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2333CDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2333CDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2333CDS-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 12A 6QFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA908PZ
仓库库存编号:
FDMA908PZCT-ND
别名:FDMA908PZCT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 12V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
型号:
SIA517DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA517DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA517DJ-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 1W(Ta) TSMT3
型号:
RZR040P01TL
仓库库存编号:
RZR040P01TLCT-ND
别名:RZR040P01TLCT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 12V 8.2A 6DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.2A(Ta) 1.7W(Ta),12.5W(Tc) 6-DFN2020MD(2x2)
型号:
PMPB15XP,115
仓库库存编号:
1727-1246-1-ND
别名:1727-1246-1
568-10453-1
568-10453-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Tc) 2.3W(Ta),5.7W(Tc) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5475DDC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5475DDC-T1-GE3CT-ND
别名:SI5475DDC-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Ta) 500mW(Ta) X2-DFN1010-3
型号:
DMN1045UFR4-7
仓库库存编号:
DMN1045UFR4-7DICT-ND
别名:DMN1045UFR4-7DICT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 4.5A SC-70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA406DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA406DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA406DJ-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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