规格:漏源电压(Vdss) 12V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(423)
分立半导体产品
(423)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (16)
Diodes Incorporated (44)
Infineon Technologies (44)
Micro Commercial Co (5)
Nexperia USA Inc. (15)
NXP USA Inc. (1)
Fairchild/ON Semiconductor (14)
ON Semiconductor (37)
Panasonic Electronic Components (7)
Renesas Electronics America (2)
Rohm Semiconductor (40)
STMicroelectronics (2)
Texas Instruments (19)
Toshiba Semiconductor and Storage (11)
Vishay Siliconix (166)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 12V 9.5A U-DFN2020-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.5A(Ta) 730mW(Ta) U-DFN2020-6(F 类)
型号:
DMP1022UFDF-7
仓库库存编号:
DMP1022UFDF-7DICT-ND
别名:DMP1022UFDF-7DICT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
详细描述:表面贴装 P 沟道 7A(Ta) 700mW(Ta) TSMT8
型号:
RQ1A070ZPTR
仓库库存编号:
RQ1A070ZPCT-ND
别名:RQ1A070ZPTRCT
RQ1A070ZPTRCT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 16A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Tc) 3.6W(Ta),33W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7405BDN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7405BDN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7405BDN-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
Micro Commercial Co
MOSFET P-CH 12V 8A DFN202
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Ta) DFN2020-6J
型号:
MCM1208-TP
仓库库存编号:
MCM1208-TPMSCT-ND
别名:MCM1208-TPMSCT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA477EDJT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA477EDJT-T1-GE3CT-ND
别名:SIA477EDJT-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Tc) 4.2W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3473CDV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3473CDV-T1-E3CT-ND
别名:SI3473CDV-T1-E3CT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.8A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
型号:
CSD23280F3
仓库库存编号:
CSD23280F3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Ta) 400mW(Ta),8.33W(Tc) DFN1010D-3
型号:
PMXB40UNEZ
仓库库存编号:
PMXB40UNEZ-ND
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 3A SCH6
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 1W(Ta) SOT-563/SCH6
型号:
SCH1331-TL-W
仓库库存编号:
SCH1331-TL-WOSCT-ND
别名:SCH1331-TL-WOSCT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 12V 4A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 800mW(Ta) SOT-23
型号:
DMP1045U-7
仓库库存编号:
DMP1045U-7DI-ND
别名:DMP1045U-7DI
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT363 T&R
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.8A(Ta) 660mW SOT-363
型号:
DMP1055USW-13
仓库库存编号:
DMP1055USW-13-ND
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT363 T&R
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.8A(Ta) 660mW SOT-363
型号:
DMP1055USW-7
仓库库存编号:
DMP1055USW-7-ND
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 1.6A
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Ta) 1.8W(Ta) 4-DSBGA
型号:
CSD13302W
仓库库存编号:
CSD13302W-ND
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.9A(Ta) 900mW(Ta) 4-MICRO FOOT?(0.8x0.8)
型号:
SI8819EDB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8819EDB-T2-E1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 2A MCPH3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 800mW(Ta) SC-70FL/MCPH3
型号:
MCH3382-TL-W
仓库库存编号:
MCH3382-TL-WOSCT-ND
别名:MCH3382-TL-WOSCT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 3A CPH3
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 1W(Ta) 3-CPH
型号:
CPH3348-TL-W
仓库库存编号:
CPH3348-TL-WOSCT-ND
别名:CPH3348-TL-WOSCT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
Texas Instruments
CHANNEL NEXFET POWER MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Ta) 1.8W(Ta) 4-DSBGA(1x1)
型号:
CSD13302WT
仓库库存编号:
CSD13302WT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 3.5A MCPH6
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Ta) 1.5W(Ta) SC-88FL/ MCPH6
型号:
MCH6320-TL-W
仓库库存编号:
MCH6320-TL-W-ND
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel Complementary 12V 5.1A (Ta), 3.9A (Ta) 1.36W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
型号:
DMC1030UFDB-13
仓库库存编号:
DMC1030UFDB-13-ND
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 3.5A CPH6
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Ta) 1.6W(Ta) 6-CPH
型号:
CPH6337-TL-W
仓库库存编号:
CPH6337-TL-WOSCT-ND
别名:CPH6337-TL-WOSCT
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 5A MCPH6
详细描述:表面贴装 P 沟道 5A(Ta) 1.5W(Ta) 6-MCPH
型号:
MCH6336-TL-H
仓库库存编号:
MCH6336-TL-H-ND
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 5.5A MCPH6
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 1.4W(Ta) 6-MCPH
型号:
MCH6353-TL-W
仓库库存编号:
MCH6353-TL-W-ND
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 5A MCPH6
详细描述:表面贴装 P 沟道 5A(Ta) 1.5W(Ta) SC-88FL/ MCPH6
型号:
MCH6336-TL-W
仓库库存编号:
MCH6336-TL-W-ND
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 12V 5.6A, 3.8A 1.4W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
型号:
DMC1229UFDB-13
仓库库存编号:
DMC1229UFDB-13DITR-ND
别名:DMC1229UFDB-13DI
DMC1229UFDB-13DI-ND
DMC1229UFDB-13DITR
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Ta) 1W(Ta) TUMT6
型号:
RAL035P01TCR
仓库库存编号:
RAL035P01TCR-ND
规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
搜索
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号