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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 9A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7324TRPBF
  仓库库存编号：IRF7324PBFCT-ND
  别名：*IRF7324TRPBF
  IRF7324PBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 20V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 2.3W（Ta） PowerDI5060-8
  
  型号：DMP2002UPS-13
  仓库库存编号：DMP2002UPS-13DICT-ND
  别名：DMP2002UPS-13DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 20V,
• 无铅
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
  详细描述：表面贴装 P 沟道 104A（Tc） 2.8W（Ta），96W（Tc） 8-VSON（3.3x3.3）
  
  型号：CSD25404Q3T
  仓库库存编号：296-43210-1-ND
  别名：296-43210-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 20V,
• 含铅
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 20V 530MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 530mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TN0702N3-G
  仓库库存编号：TN0702N3-G-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 20V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR866DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR866DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR866DP-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 20V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 60A 46W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7236DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7236DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7236DP-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 20V,
• 无铅
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 0.1A UMT3F
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） UMT3F
  
  型号：RU1C001ZPTL
  仓库库存编号：RU1C001ZPTLCT-ND
  别名：RU1C001ZPTLCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 20V,
• 无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 20V 500MA SSM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Ta） 150mW（Ta） SSM
  
  型号：SSM3K36FS,LF
  仓库库存编号：SSM3K36FSLFCT-ND
  别名：SSM3K36FS(T5LFD)CT
  SSM3K36FS(T5LFD)CT-ND
  SSM3K36FS(T5LFT)CT
  SSM3K36FS(T5LFT)CT-ND
  SSM3K36FSLFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 20V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 P 沟道 390mA（Ta） 250mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS223PWH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS223PWH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS223PWH6327XTSA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 20V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 0.63A SOT-323
  详细描述：表面贴装 P 沟道 630mA（Tc） 300mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS209PWH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS209PWH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS209PWH6327XTSA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 20V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS214NWH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS214NWH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS214NWH6327XTSA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 20V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS214NH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS214NH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS214N H6327CT
  BSS214N H6327CT-ND
  BSS214NH6327XTSA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 20V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 750mA（Ta） 470mW（Ta） 3-X1DFN1006
  
  型号：DMN2400UFB-7
  仓库库存编号：DMN2400UFB-7DICT-ND
  别名：DMN2400UFB-7DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 180mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
  
  型号：SSM6N35FE,LM
  仓库库存编号：SSM6N35FELMCT-ND
  别名：SSM6N35FE(TE85LF)CT
  SSM6N35FE(TE85LF)CT-ND
  SSM6N35FELMCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 20V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 0.81A 3DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 810mA（Ta） 460mW（Ta） X2-DFN1006-3
  
  型号：DMN2500UFB4-7
  仓库库存编号：DMN2500UFB4-7DICT-ND
  别名：DMN2500UFB4-7DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 20V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 760mA（Ta） 380mW（Ta） 3-DFN1006（1.0x0.6）
  
  型号：DMN21D2UFB-7B
  仓库库存编号：DMN21D2UFB-7BDICT-ND
  别名：DMN21D2UFB-7BDICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 600mW（Ta） S-Mini
  
  型号：SSM3J325F,LF
  仓库库存编号：SSM3J325FLFCT-ND
  别名：SSM3J325FLFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS806NH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS806NH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS806N H6327CT
  BSS806N H6327CT-ND
  BSS806NH6327XTSA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS806NEH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS806NEH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS806NEH6327XTSA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 20V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 500mA, 330mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
  
  型号：SSM6L36FE,LM
  仓库库存编号：SSM6L36FELMCT-ND
  别名：SSM6L36FE(TE85LF)CT
  SSM6L36FE(TE85LF)CT-ND
  SSM6L36FELMCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS205NH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS205NH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS205N H6327CT
  BSS205N H6327CT-ND
  BSS205NH6327XTSA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.1A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML6246TRPBF
  仓库库存编号：IRLML6246TRPBFCT-ND
  别名：IRLML6246TRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS215PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS215PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS215P H6327CT
  BSS215P H6327CT-ND
  BSS215PH6327XTSA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 20V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.3A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML6244TRPBF
  仓库库存编号：IRLML6244TRPBFCT-ND
  别名：IRLML6244TRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 20V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2P-CH 20V SC70-6
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 300mW Surface Mount SC-70-6
  
  型号：AO7801
  仓库库存编号：785-1208-1-ND
  别名：785-1208-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 20V,
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