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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 34A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 74W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN026-80YS,115
  仓库库存编号：1727-4278-1-ND
  别名：1727-4278-1
  568-4910-1
  568-4910-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 3A SSOT-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC3512
  仓库库存编号：FDC3512CT-ND
  别名：FDC3512CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），55A（Tc） 2.5W（Ta），66W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC123N08NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC123N08NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC123N08NS3 GCT
  BSC123N08NS3 GCT-ND
  BSC123N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Tc） 760mW（Ta），2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2337DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2337DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2337DS-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），66W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ123N08NS3 G
  仓库库存编号：BSZ123N08NS3GINCT-ND
  别名：BSZ123N08NS3GINCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 30A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS468DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS468DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS468DN-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7854TRPBF
  仓库库存编号：IRF7854TRPBFCT-ND
  别名：IRF7854TRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：IRF7493TRPBF
  仓库库存编号：IRF7493PBFCT-ND
  别名：*IRF7493TRPBF
  IRF7493PBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.7A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4896DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4896DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4896DY-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 120W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR2908TRLPBF
  仓库库存编号：IRLR2908TRLPBFCT-ND
  别名：IRLR2908TRLPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5W（Ta），62.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIJ478DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIJ478DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIJ478DP-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），114W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC057N08NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC057N08NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC057N08NS3 GCT
  BSC057N08NS3 GCT-ND
  BSC057N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB054N08N3 G
  仓库库存编号：IPB054N08N3 GCT-ND
  别名：IPB054N08N3 GCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR880ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR880ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR880ADP-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD053N08N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD053N08N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD053N08N3GATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC047N08NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC047N08NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC047N08NS3 GCT
  BSC047N08NS3 GCT-ND
  BSC047N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 5W（Ta），62.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7852ADP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7852ADP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7852ADP-T1-E3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 80V 0.28A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 280mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VP0808L-G
  仓库库存编号：VP0808L-G-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN3R3-80BS,118
  仓库库存编号：1727-7108-1-ND
  别名：1727-7108-1
  568-9478-1
  568-9478-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 270W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF75545S3ST
  仓库库存编号：HUF75545S3STCT-ND
  别名：HUF75545S3STCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB025N08N3 G
  仓库库存编号：IPB025N08N3 GCT-ND
  别名：IPB025N08N3 GCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 338W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN3R5-80PS,127
  仓库库存编号：1727-5282-ND
  别名：1727-5282
  568-6710
  568-6710-5
  568-6710-5-ND
  568-6710-ND
  934065169127
  PSMN3R580PS127
  
  规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 80V 40A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 700mW（Ta），42W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN13008NH,L1Q
  仓库库存编号：TPN13008NHL1QCT-ND
  别名：TPN13008NHL1QCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS3590
  仓库库存编号：FDS3590CT-ND
  别名：FDS3590CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 80V 2.1A 1.6W Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS8935
  仓库库存编号：FDS8935CT-ND
  别名：FDS8935CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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