规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V 20A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），50A（Tc） 6.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN-EP（3.3x3.3）
型号：
AON7280
仓库库存编号：
785-1614-1-ND
别名：785-1614-1
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V TRENCH DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），37A（Tc） 3.1W（Ta），62W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD86326
仓库库存编号：
FDD86326CT-ND
别名：FDD86326CT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS3580
仓库库存编号：
FDS3580FSCT-ND
别名：FDS3580FSCT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 116A（Tc） 800mW（Ta），142W（Tc） 8-DSOP Advance
型号：
TPW4R008NH,L1Q
仓库库存编号：
TPW4R008NHL1QCT-ND
别名：TPW4R008NHL1QCT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 80V 100A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 217W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD19501KCS
仓库库存编号：
296-37286-5-ND
别名：296-37286-5
CSD19501KCS-ND
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 200W（Tc） H2PAK
型号：
STH140N8F7-2
仓库库存编号：
497-14534-1-ND
别名：497-14534-1
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 80V 150A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 150A（Ta） 300W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD19505KCS
仓库库存编号：
296-37287-5-ND
别名：296-37287-5
CSD19505KCS-ND
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 80V TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 375W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD19506KCS
仓库库存编号：
296-37169-5-ND
别名：296-37169-5
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 80V 100A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 255W（Tc） TO-220
型号：
TK100E08N1,S1X
仓库库存编号：
TK100E08N1S1X-ND
别名：TK100E08N1,S1X(S
TK100E08N1S1X
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 80V 180A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 180A（Tc） 315W（Tc） TO-220
型号：
STP270N8F7
仓库库存编号：
497-13654-5-ND
别名：497-13654-5
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB067N08N3 G
仓库库存编号：
IPB067N08N3 GCT-ND
别名：IPB067N08N3 GCT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），90A（Tc） 2.2W（Ta），78W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB044N08NN3 G
仓库库存编号：
BSB044N08NN3 GCT-ND
别名：BSB044N08NN3 GCT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB035N08N3 G
仓库库存编号：
IPB035N08N3 GCT-ND
别名：IPB035N08N3 GCT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-7
型号：
IPB030N08N3 G
仓库库存编号：
IPB030N08N3 GCT-ND
别名：IPB030N08N3 GCT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 110A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 200W（Tc） TO-220
型号：
STP110N8F6
仓库库存编号：
497-16019-5-ND
别名：497-16019-5
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 120A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） TO-220
型号：
STP170N8F7
仓库库存编号：
497-16008-5-ND
别名：497-16008-5
STP170N8F7-ND
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB017N08N5ATMA1
仓库库存编号：
IPB017N08N5ATMA1CT-ND
别名：IPB017N08N5ATMA1CT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 4.6A TSOP-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 4.6A（Tc） 2W（Ta），3.6W（Tc） 6-TSOP
型号：
SI3476DV-T1-GE3
仓库库存编号：
SI3476DV-T1-GE3CT-ND
别名：SI3476DV-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 1.1A（Ta） 400mW（Ta），6.25W（Tc） DFN1010D-3
型号：
PMXB360ENEA
仓库库存编号：
1727-1474-1-ND
别名：1727-1474-1
568-10945-1
568-10945-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 25A（Tc） 64W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
BUK7Y41-80EX
仓库库存编号：
1727-1486-1-ND
别名：1727-1486-1
568-10966-1
568-10966-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 60A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 60A（Tc） 106W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN013-80YS,115
仓库库存编号：
1727-4279-1-ND
别名：1727-4279-1
568-4911-1
568-4911-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V LFPAK56
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 84A（Tc） 194W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN010-80YLX
仓库库存编号：
1727-2588-1-ND
别名：1727-2588-1
568-13039-1
568-13039-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 46A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 46A（Tc） 55W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJA94EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJA94EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJA94EP-T1_GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJA82EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJA82EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJA82EP-T1_GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 57A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 57A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJA92EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJA92EP-T1_GE3CT-ND
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