规格：漏源电压（Vdss） 80V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(469)
分立半导体产品
(469)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (35)
Microchip Technology (2)
Diodes Incorporated (8)
EPC (10)
Infineon Technologies (105)
IXYS (3)
Nexperia USA Inc. (64)
NXP USA Inc. (11)
Fairchild/ON Semiconductor (109)
ON Semiconductor (1)
Panasonic Electronic Components (3)
Renesas Electronics America (8)
Rohm Semiconductor (3)
STMicroelectronics (25)
Taiwan Semiconductor Corporation (3)
Texas Instruments (8)
Toshiba Semiconductor and Storage (15)
Vishay Siliconix (56)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V 20A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），50A（Tc） 6.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN-EP（3.3x3.3）
型号：
AON7280
仓库库存编号：
785-1614-1-ND
别名：785-1614-1
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V TRENCH DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），37A（Tc） 3.1W（Ta），62W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD86326
仓库库存编号：
FDD86326CT-ND
别名：FDD86326CT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS3580
仓库库存编号：
FDS3580FSCT-ND
别名：FDS3580FSCT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 116A（Tc） 800mW（Ta），142W（Tc） 8-DSOP Advance
型号：
TPW4R008NH,L1Q
仓库库存编号：
TPW4R008NHL1QCT-ND
别名：TPW4R008NHL1QCT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 80V 100A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 217W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD19501KCS
仓库库存编号：
296-37286-5-ND
别名：296-37286-5
CSD19501KCS-ND
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
含铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 200W（Tc） H2PAK
型号：
STH140N8F7-2
仓库库存编号：
497-14534-1-ND
别名：497-14534-1
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 80V 150A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 150A（Ta） 300W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD19505KCS
仓库库存编号：
296-37287-5-ND
别名：296-37287-5
CSD19505KCS-ND
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 80V TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 375W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD19506KCS
仓库库存编号：
296-37169-5-ND
别名：296-37169-5
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 80V 100A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 255W（Tc） TO-220
型号：
TK100E08N1,S1X
仓库库存编号：
TK100E08N1S1X-ND
别名：TK100E08N1,S1X(S
TK100E08N1S1X
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N CH 80V 180A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 180A（Tc） 315W（Tc） TO-220
型号：
STP270N8F7
仓库库存编号：
497-13654-5-ND
别名：497-13654-5
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB067N08N3 G
仓库库存编号：
IPB067N08N3 GCT-ND
别名：IPB067N08N3 GCT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），90A（Tc） 2.2W（Ta），78W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB044N08NN3 G
仓库库存编号：
BSB044N08NN3 GCT-ND
别名：BSB044N08NN3 GCT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB035N08N3 G
仓库库存编号：
IPB035N08N3 GCT-ND
别名：IPB035N08N3 GCT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-7
型号：
IPB030N08N3 G
仓库库存编号：
IPB030N08N3 GCT-ND
别名：IPB030N08N3 GCT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 110A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 200W（Tc） TO-220
型号：
STP110N8F6
仓库库存编号：
497-16019-5-ND
别名：497-16019-5
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 120A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） TO-220
型号：
STP170N8F7
仓库库存编号：
497-16008-5-ND
别名：497-16008-5
STP170N8F7-ND
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB017N08N5ATMA1
仓库库存编号：
IPB017N08N5ATMA1CT-ND
别名：IPB017N08N5ATMA1CT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 4.6A TSOP-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 4.6A（Tc） 2W（Ta），3.6W（Tc） 6-TSOP
型号：
SI3476DV-T1-GE3
仓库库存编号：
SI3476DV-T1-GE3CT-ND
别名：SI3476DV-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 1.1A（Ta） 400mW（Ta），6.25W（Tc） DFN1010D-3
型号：
PMXB360ENEA
仓库库存编号：
1727-1474-1-ND
别名：1727-1474-1
568-10945-1
568-10945-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 25A（Tc） 64W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
BUK7Y41-80EX
仓库库存编号：
1727-1486-1-ND
别名：1727-1486-1
568-10966-1
568-10966-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 60A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 60A（Tc） 106W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN013-80YS,115
仓库库存编号：
1727-4279-1-ND
别名：1727-4279-1
568-4911-1
568-4911-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V LFPAK56
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 84A（Tc） 194W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN010-80YLX
仓库库存编号：
1727-2588-1-ND
别名：1727-2588-1
568-13039-1
568-13039-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 46A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 46A（Tc） 55W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJA94EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJA94EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJA94EP-T1_GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJA82EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJA82EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJA82EP-T1_GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 57A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 57A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJA92EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJA92EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJA92EP-T1_GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
