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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 110W（Tc） DPAK
  
  型号：STD25NF20
  仓库库存编号：497-13749-1-ND
  别名：497-13749-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 33W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD5N20LT4
  仓库库存编号：497-4335-1-ND
  别名：497-4335-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 75W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF630
  仓库库存编号：497-2757-5-ND
  别名：497-2757-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 200V 0.035A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 35mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZVP1320FTA
  仓库库存编号：ZVP1320FCT-ND
  别名：UZVP1320FCT
  UZVP1320FCT-ND
  ZVP1320FCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：STN1NF20
  仓库库存编号：497-12273-1-ND
  别名：497-12273-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 3.3W（Tc） SOT-223
  
  型号：STN4NF20L
  仓库库存编号：497-10779-1-ND
  别名：497-10779-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.8A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD10N20CTM
  仓库库存编号：FQD10N20CTMCT-ND
  别名：FQD10N20CTMCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.7A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD5P20TM
  仓库库存编号：FQD5P20TMCT-ND
  别名：FQD5P20TMCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.7A（Tc） 2.5W（Ta），55W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD7P20TM
  仓库库存编号：FQD7P20TMCT-ND
  别名：FQD7P20TMCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 2.6A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA456DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA456DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA456DJ-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.8A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7119DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7119DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7119DN-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4464DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4464DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4464DY-T1-E3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7820DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7820DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7820DN-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120mA（Ta） 500mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：BS107P
  仓库库存编号：BS107P-ND
  别名：BS107
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 89W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD18N20LZ
  仓库库存编号：FDD18N20LZCT-ND
  别名：FDD18N20LZCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 3A 8-SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS2670
  仓库库存编号：FDS2670CT-ND
  别名：FDS2670CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS2672
  仓库库存编号：FDS2672CT-ND
  别名：FDS2672CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 200V Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：TC6320TG-G
  仓库库存编号：TC6320TG-GCT-ND
  别名：TC6320TG-GCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• EPC
  TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta） 模具剖面（4 焊条）
  
  型号：EPC2012C
  仓库库存编号：917-1084-1-ND
  别名：917-1084-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 52A（Tc） 357W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB52N20TM
  仓库库存编号：FDB52N20TMCT-ND
  别名：FDB52N20TMCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF640PBF
  仓库库存编号：IRF640PBF-ND
  别名：*IRF640PBF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL640A
  仓库库存编号：IRL640A-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• EPC
  TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2019
  仓库库存编号：917-1087-1-ND
  别名：917-1087-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7431DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7431DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7431DP-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7431DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7431DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7431DP-T1-E3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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