规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 24A TO-247AD
详细描述:通孔 P 沟道 24A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH24P20
仓库库存编号:
IXTH24P20-ND
别名:Q1163049
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 140A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 140A(Tc) 830W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK140N20P
仓库库存编号:
IXFK140N20P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 106A(Tc) 521W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN106N20
仓库库存编号:
IXFN106N20-ND
别名:460915
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 120A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN120N20
仓库库存编号:
IXFN120N20-ND
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 180A(Tc) 700W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN180N20
仓库库存编号:
IXFN180N20-ND
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 2.23W(Ta),40W(Tc) TO-220FM
型号:
RCX081N20
仓库库存编号:
RCX081N20-ND
别名:RCX081N20CT
RCX081N20CT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF640NPBF
仓库库存编号:
IRF640NPBF-ND
别名:*IRF640NPBF
SP001570078
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 19A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 19A(Tc) 43W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF19N20C
仓库库存编号:
FQPF19N20C-ND
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 560mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9220PBF
仓库库存编号:
IRFD9220PBF-ND
别名:*IRFD9220PBF
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 200V 0.175A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 175mA(Tj) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
TP0620N3-G
仓库库存编号:
TP0620N3-G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 19.4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 19.4A(Tc) 140W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP19N20
仓库库存编号:
FQP19N20FS-ND
别名:FQP19N20-ND
FQP19N20FS
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRL640SPBF
仓库库存编号:
IRL640SPBF-ND
别名:*IRL640SPBF
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 150W(Tc) TO-262
型号:
IRF640NLPBF
仓库库存编号:
IRF640NLPBF-ND
别名:*IRF640NLPBF
SP001563296
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.3A(Tc) 3W(Ta),36W(Tc) D2PAK
型号:
IRF610SPBF
仓库库存编号:
IRF610SPBF-ND
别名:*IRF610SPBF
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 31A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 31A(Tc) 180W(Tc) TO-220AB
型号:
FQP34N20
仓库库存编号:
FQP34N20-ND
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 31A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 31A(Tc) 3.1W(Ta),200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB31N20DPBF
仓库库存编号:
IRFB31N20DPBF-ND
别名:*IRFB31N20DPBF
SP001560192
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 214W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP250NPBF
仓库库存编号:
IRFP250NPBF-ND
别名:*IRFP250NPBF
SP001554946
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 28A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 28A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF32N20C
仓库库存编号:
FQPF32N20C-ND
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 26A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 46W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI4227PBF
仓库库存编号:
IRFI4227PBF-ND
别名:SP001564096
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 300W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP260MPBF
仓库库存编号:
IRFP260MPBF-ND
别名:SP001572874
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 56A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 56A(Tc) 380W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB260NPBF
仓库库存编号:
IRFB260NPBF-ND
别名:*IRFB260NPBF
SP001551726
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 48A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 48A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP48N20T
仓库库存编号:
IXTP48N20T-ND
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 65A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 65A(Tc) 330W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP4227PBF
仓库库存编号:
IRFP4227PBF-ND
别名:SP001560510
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 30A ISOPLUS247
详细描述:通孔 P 沟道 30A(Tc) 190W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXTR48P20P
仓库库存编号:
IXTR48P20P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 90A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 500W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK90N20Q
仓库库存编号:
IXFK90N20Q-ND
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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