规格:漏源电压(Vdss) 200V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(1090)
分立半导体产品
(1090)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (6)
Microchip Technology (13)
Diodes Incorporated (41)
EPC (13)
Global Power Technologies Group (8)
Infineon Technologies (172)
IXYS (156)
Microsemi Corporation (98)
Nexperia USA Inc. (17)
NXP USA Inc. (14)
Fairchild/ON Semiconductor (214)
ON Semiconductor (15)
Panasonic Electronic Components (3)
Renesas Electronics America (9)
Rohm Semiconductor (25)
Sanken (5)
STMicroelectronics (56)
Toshiba Semiconductor and Storage (7)
Vishay Semiconductor Diodes Division (2)
Vishay Siliconix (216)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
IXYS
MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 560W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX120N20
仓库库存编号:
IXFX120N20-ND
别名:IFX120N20
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 110A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 960W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK110N20L2
仓库库存编号:
IXTK110N20L2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 12A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 1.56W(Ta),40W(Tc) LPTS(SC-83)
型号:
RCJ120N20TL
仓库库存编号:
RCJ120N20TLCT-ND
别名:RCJ120N20TLCT
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU13N20DPBF
仓库库存编号:
IRFU13N20DPBF-ND
别名:*IRFU13N20DPBF
SP001573640
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 16A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 2.23W(Ta),40W(Tc) TO-220FM
型号:
RCX160N20
仓库库存编号:
RCX160N20-ND
别名:RCX160N20CT
RCX160N20CT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 20A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 2.23W(Ta),40W(Tc) TO-220FM
型号:
RCX200N20
仓库库存编号:
RCX200N20-ND
别名:RCX200N20CT
RCX200N20CT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 30A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 2.23W(Ta),40W(Tc) TO-220FM
型号:
RCX300N20
仓库库存编号:
RCX300N20-ND
别名:RCX300N20CT
RCX300N20CT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.8A(Tc) 3W(Ta),20W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9610SPBF
仓库库存编号:
IRF9610SPBF-ND
别名:IRF9610SPBFCT
IRF9610SPBFCT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 125W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ30A H
仓库库存编号:
BUZ30A H-ND
别名:BUZ30AH
BUZ30AHXKSA1
SP000682990
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.2A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRL620SPBF
仓库库存编号:
IRL620SPBF-ND
别名:*IRL620SPBF
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 5.9A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI630GPBF
仓库库存编号:
IRFI630GPBF-ND
别名:*IRFI630GPBF
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB23N20DPBF
仓库库存编号:
IRFB23N20DPBF-ND
别名:*IRFB23N20DPBF
SP001564048
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 144W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4620PBF
仓库库存编号:
IRFB4620PBF-ND
别名:SP001563998
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 45A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 45A(Tc) 2.23W(Ta),40W(Tc) TO-220FM
型号:
RCX450N20
仓库库存编号:
RCX450N20-ND
别名:RCX450N20CT
RCX450N20CT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 70A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 2.23W(Ta),40W(Tc) TO-220FM
型号:
RCX700N20
仓库库存编号:
RCX700N20-ND
别名:RCX700N20CT
RCX700N20CT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.2A(Tc) 3W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRF620STRLPBF
仓库库存编号:
IRF620STRLPBFCT-ND
别名:IRF620STRLPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 4.1A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI620GPBF
仓库库存编号:
IRFI620GPBF-ND
别名:*IRFI620GPBF
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 32.7A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 32.7A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP33NQ20T,127
仓库库存编号:
1727-4647-ND
别名:1727-4647
568-5764
568-5764-5
568-5764-5-ND
568-5764-ND
934058107127
PHP33NQ20T
PHP33NQ20T,127-ND
PHP33NQ20T-ND
PHP33NQ20T127
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
IRF640STRRPBF
仓库库存编号:
IRF640STRRPBFCT-ND
别名:IRF640STRRPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 6.2A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLI630GPBF
仓库库存编号:
IRLI630GPBF-ND
别名:*IRLI630GPBF
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 3A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9620GPBF
仓库库存编号:
IRFI9620GPBF-ND
别名:*IRFI9620GPBF
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 4.3A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 4.3A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9630GPBF
仓库库存编号:
IRFI9630GPBF-ND
别名:*IRFI9630GPBF
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 78.5A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
SQP90142E_GE3
仓库库存编号:
SQP90142E_GE3-ND
别名:SQP90142E_GE3CT
SQP90142E_GE3CT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 16A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 695W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH16N20D2
仓库库存编号:
IXTH16N20D2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 130A MAX247
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 450W(Tc) MAX247?
型号:
STY130NF20D
仓库库存编号:
497-11004-5-ND
别名:497-11004-5
STY130NF20D-ND
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
搜索
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号