规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
IRL640STRRPBF
仓库库存编号：
IRL640STRRPBF-ND
别名：Q4322190B
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 200V 45A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 45A（Ta） 40W（Tc） TO-220
型号：
FKP202
仓库库存编号：
FKP202-ND
别名：FKP202 DK
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM60N20-35_GE3
仓库库存编号：
SQM60N20-35_GE3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 27A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 27A（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP27N20T
仓库库存编号：
IXTP27N20T-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 32A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP32N20T
仓库库存编号：
IXTP32N20T-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 200V 45A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Ta） 95W（Tc） TO-263-3
型号：
SKP202
仓库库存编号：
SKP202-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 32A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 200W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA32N20T
仓库库存编号：
IXTA32N20T-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 200V 45A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Ta） 95W（Tc） TO-263-3
型号：
SKP202VR
仓库库存编号：
SKP202VR-ND
别名：SKP202VR DK
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 36A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP36N20T
仓库库存编号：
IXTP36N20T-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 36A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA36N20T
仓库库存编号：
IXTA36N20T-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 TO-3P
型号：
IXTQ36N20T
仓库库存编号：
IXTQ36N20T-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 48A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 48A（Tc） 250W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA48N20T
仓库库存编号：
IXTA48N20T-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 52A（Tc） 3.12W（Ta），250W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM52N20-39P-E3
仓库库存编号：
SUM52N20-39P-E3TR-ND
别名：SUM52N20-39P-E3-ND
SUM52N20-39P-E3TR
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 36A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH36N20T
仓库库存编号：
IXTH36N20T-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Ta） 35W（Tc） TO-220FN
型号：
RDN100N20FU6
仓库库存编号：
RDN100N20FU6-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 70A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 417W（Tc） TO-3PN
型号：
FDA70N20
仓库库存编号：
FDA70N20-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 48A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 250W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ48N20T
仓库库存编号：
IXTQ48N20T-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 50A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 360W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA50N20P
仓库库存编号：
IXTA50N20P-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 50A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 360W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP50N20P
仓库库存编号：
IXTP50N20P-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 20A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 90W（Tc） TO-220 隔离的标片
型号：
IXTP50N20PM
仓库库存编号：
IXTP50N20PM-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 48A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 275W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH48N20T
仓库库存编号：
IXTH48N20T-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 72A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 72A（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP72N20T
仓库库存编号：
IXTP72N20T-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 50A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 360W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ50N20P
仓库库存编号：
IXTQ50N20P-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 60A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 500W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP60N20T
仓库库存编号：
IXTP60N20T-ND
规格：漏源电压（Vdss） 200V,
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MOSFET N-CH 200V 60A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 500W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA60N20T
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