以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.85A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4490DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4490DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4490DY-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：IRF640STRLPBF
  仓库库存编号：IRF640STRLPBFCT-ND
  别名：IRF640STRLPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 35A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN070-200B,118
  仓库库存编号：1727-4775-1-ND
  别名：1727-4775-1
  568-5953-1
  568-5953-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta） 20W（Tc） CPT3
  
  型号：RDD050N20TL
  仓库库存编号：RDD050N20TLCT-ND
  别名：RDD050N20TLCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS2672_F085
  仓库库存编号：FDS2672_F085CT-ND
  别名：FDS2672_F085CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 200V 18A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 35W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FDPF18N20FT_G
  仓库库存编号：FDPF18N20FT_G-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 15A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 90W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB19NF20
  仓库库存编号：497-7941-1-ND
  别名：497-7941-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Tc） 3.13W（Ta），180W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB34N20LTM
  仓库库存编号：FQB34N20LTMCT-ND
  别名：FQB34N20LTM-ND
  FQB34N20LTMCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 30A LPTS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 1.56W（Ta），40W（Tc） LPTS
  
  型号：RCJ300N20TL
  仓库库存编号：RCJ300N20TLCT-ND
  别名：RCJ300N20TLCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 19A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD19N20-90-E3
  仓库库存编号：SUD19N20-90-E3CT-ND
  别名：SUD19N20-90-E3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 35A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN070-200P,127
  仓库库存编号：1727-4662-ND
  别名：1727-4662
  568-5779
  568-5779-5
  568-5779-5-ND
  568-5779-ND
  934055718127
  PSMN070-200P
  PSMN070-200P,127-ND
  PSMN070-200P-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 5.4W（Ta），96W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7172DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7172DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7172DP-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 44A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 2.4W（Ta），330W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB42N20DPBF
  仓库库存编号：IRFB42N20DPBF-ND
  别名：*IRFB42N20DPBF
  SP001560222
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 200V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB30NF20L
  仓库库存编号：497-13392-1-ND
  别名：497-13392-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM90142E-GE3
  仓库库存编号：SUM90142E-GE3TR-ND
  别名：SUM90142E-GE3TR
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM90142E-GE3
  仓库库存编号：SUM90142E-GE3CT-ND
  别名：SUM90142E-GE3-ND
  SUM90142E-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB75NF20
  仓库库存编号：497-5957-1-ND
  别名：497-5957-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 70A LPTS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 1.56W（Ta），40W（Tc） LPTS
  
  型号：RCJ700N20TL
  仓库库存编号：RCJ700N20TLCT-ND
  别名：RCJ700N20TLCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• EPC
  TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2034ENGRT
  仓库库存编号：917-EPC2034ENGRCT-ND
  别名：917-1142-1
  917-1142-1-ND
  917-EPC2034ENGRCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 200V 72A D2PAK
  详细描述：N 沟道 72A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：AUIRFS4127
  仓库库存编号：AUIRFS4127-ND
  别名：SP001517544
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 75A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 341W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP4127PBF
  仓库库存编号：IRFP4127PBF-ND
  别名：SP001566148
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 65A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 65A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA65N20
  仓库库存编号：FQA65N20FS-ND
  别名：FQA65N20-ND
  FQA65N20FS
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 61A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 61A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB80N20M5
  仓库库存编号：497-10705-1-ND
  别名：497-10705-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• EPC
  TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2010
  仓库库存编号：917-1016-1-ND
  别名：917-1016-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• EPC
  TRANS GAN 200V BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2047ENGRT
  仓库库存编号：917-EPC2047ENGRCT-ND
  别名：917-EPC2047ENGRCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 200V,
• 
  
  无铅
• 搜索