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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 90V 350MA 3TO-39
  详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 6.25W（Tc） TO-39
  
  型号：2N6661
  仓库库存编号：2N6661MC-ND
  别名：2N6661MC
  
  规格：漏源电压（Vdss） 90V,
• 含铅
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 90V 0.2A SOT23-5
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Tj） 490mW（Ta） SOT-23-5
  
  型号：DN1509K1-G
  仓库库存编号：DN1509K1-GCT-ND
  别名：DN1509K1-GCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 90V,
• 无铅
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN0109N3-G
  仓库库存编号：VN0109N3-G-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 90V,
• 无铅
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 90V 0.25A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 250mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VP0109N3-G
  仓库库存编号：VP0109N3-G-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 90V,
• 无铅
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 90V 360MA SOT89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 360mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：DN1509N8-G
  仓库库存编号：DN1509N8-GCT-ND
  别名：DN1509N8-GCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 90V,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 90V 38A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.7A（Ta），41A（Tc） 3.8W（Ta），83W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD6828NLT4G-VF01
  仓库库存编号：NVD6828NLT4G-VF01-ND
  别名：NVD5890NT4G-VF01
  NVD6828NLT4G
  NVD6828NLT4G-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 90V,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 90V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90V 10A（Ta），50A（Tc） 4W（Ta），100W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD6820NLT4G-VF01
  仓库库存编号：NVD6820NLT4G-VF01-ND
  别名：NVD4806NT4G-VF01
  NVD6820NLT4G
  NVD6820NLT4G-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 90V,
• 无铅
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• TT Electronics/Optek Technology
  MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 90V 2A, 1.1A 500mW Surface Mount 6-SMD
  
  型号：HCT802
  仓库库存编号：HCT802-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 90V,
• 含铅
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• TT Electronics/Optek Technology
  MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 90V 2A, 1.1A 500mW Surface Mount 6-SMD
  
  型号：HCT802TXV
  仓库库存编号：HCT802TXV-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 90V,
• 含铅
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• TT Electronics/Optek Technology
  MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 90V 2A, 1.1A 500mW Surface Mount 6-SMD
  
  型号：HCT802TX
  仓库库存编号：HCT802TX-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 90V,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 90V 2A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 90V 2A（Ta） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：MPF990
  仓库库存编号：MPF990OS-ND
  别名：MPF990OS
  
  规格：漏源电压（Vdss） 90V,
• 含铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 90V 0.01A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 90V 10mA（Ta） 625mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
  
  型号：ZVN1409ASTOA
  仓库库存编号：ZVN1409ASTOA-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 90V,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 90V 0.01A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 90V 10mA（Ta） 625mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
  
  型号：ZVN1409ASTOB
  仓库库存编号：ZVN1409ASTOB-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 90V,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 90V 0.01A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 90V 10mA（Ta） 625mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
  
  型号：ZVN1409ASTZ
  仓库库存编号：ZVN1409ASTZ-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 90V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
  
  型号：2N6661
  仓库库存编号：2N6661-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 90V,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
  
  型号：2N6661-2
  仓库库存编号：2N6661-2-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 90V,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
  
  型号：2N6661-E3
  仓库库存编号：2N6661-E3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 90V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
  
  型号：2N6661JAN02
  仓库库存编号：2N6661JAN02-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 90V,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
  
  型号：2N6661JTVP02
  仓库库存编号：2N6661JTVP02-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 90V,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
  
  型号：2N6661JTX02
  仓库库存编号：2N6661JTX02-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 90V,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
  
  型号：2N6661JTXL02
  仓库库存编号：2N6661JTXL02-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 90V,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
  
  型号：2N6661JTXP02
  仓库库存编号：2N6661JTXP02-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 90V,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
  
  型号：2N6661JTXV02
  仓库库存编号：2N6661JTXV02-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 90V,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel 90V 400mA 2W Through Hole 14-DIP
  
  型号：VQ1006P
  仓库库存编号：VQ1006P-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 90V,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel 90V 400mA 2W Through Hole 14-DIP
  
  型号：VQ1006P-2
  仓库库存编号：VQ1006P-2-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 90V,
• 含铅
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