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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 44A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.6A（Ta），44A（Tc） 69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC190N12NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC190N12NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC190N12NS3 GCT
  BSC190N12NS3 GCT-ND
  BSC190N12NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 120V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD110N12N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD110N12N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD110N12N3GATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 120V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.4A（Ta），98A（Tc） 139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC077N12NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC077N12NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC077N12NS3 GCT
  BSC077N12NS3 GCT-ND
  BSC077N12NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 120V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB038N12N3 G
  仓库库存编号：IPB038N12N3 GCT-ND
  别名：IPB038N12N3 GCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 120V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB036N12N3 G
  仓库库存编号：IPB036N12N3 GCT-ND
  别名：IPB036N12N3 GCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 120V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Ta） 107W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB144N12N3 G
  仓库库存编号：IPB144N12N3 GCT-ND
  别名：IPB144N12N3 GCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 120V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 120V 15A TO-220F
  详细描述：通孔 P 沟道 15A（Tc） 41W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF15P12
  仓库库存编号：FQPF15P12-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 120V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 120V 0.23A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 230mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN1206L-G
  仓库库存编号：VN1206L-G-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 120V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP048N12N3 G
  仓库库存编号：IPP048N12N3 G-ND
  别名：IPP048N12N3G
  IPP048N12N3GXKSA1
  SP000652734
  
  规格：漏源电压（Vdss） 120V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP041N12N3 G
  仓库库存编号：IPP041N12N3 G-ND
  别名：IPP041N12N3G
  IPP041N12N3GXKSA1
  SP000652746
  
  规格：漏源电压（Vdss） 120V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 56A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 56A（Ta） 107W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP147N12N3 G
  仓库库存编号：IPP147N12N3 G-ND
  别名：IPP147N12N3G
  IPP147N12N3GXKSA1
  SP000652742
  
  规格：漏源电压（Vdss） 120V,
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• EPC
  TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 120V 3.4A Surface Mount Die
  
  型号：EPC2110ENGRT
  仓库库存编号：917-EPC2110ENGRCT-ND
  别名：917-EPC2110ENGRCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 120V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 120V 70A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 405W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN6R3-120PS
  仓库库存编号：1727-1060-ND
  别名：1727-1060
  568-10168-5
  568-10168-5-ND
  934067189127
  PSMN6R3120PS
  
  规格：漏源电压（Vdss） 120V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 120V POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.6A（Ta），35A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS86201
  仓库库存编号：FDMS86201CT-ND
  别名：FDMS86201CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 120V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 120V 8MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.5A（Ta） 2.7W（Ta），156W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS86202
  仓库库存编号：FDMS86202CT-ND
  别名：FDMS86202CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 120V,
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• Infineon Technologies
  N-CHANNEL_100+
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD35N12S3L24ATMA1
  仓库库存编号：IPD35N12S3L24ATMA1CT-ND
  别名：IPD35N12S3L24ATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 120V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 37A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Tc） 66W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ240N12NS3 G
  仓库库存编号：BSZ240N12NS3 GCT-ND
  别名：BSZ240N12NS3 GCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 120V,
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• Infineon Technologies
  N-CHANNEL_100+
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB100N12S305ATMA1
  仓库库存编号：IPB100N12S305ATMA1CT-ND
  别名：IPB100N12S305ATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 120V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 120V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP80NF12
  仓库库存编号：497-6743-5-ND
  别名：497-6743-5
  STP80NF12-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 120V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 120V 60A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 98W（Tc） TO-220
  
  型号：TK32E12N1,S1X
  仓库库存编号：TK32E12N1S1X-ND
  别名：TK32E12N1,S1X(S
  TK32E12N1S1X
  
  规格：漏源电压（Vdss） 120V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 120V 56A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK56A12N1,S4X
  仓库库存编号：TK56A12N1S4X-ND
  别名：TK56A12N1,S4X(S
  TK56A12N1,S4X-ND
  TK56A12N1S4X
  
  规格：漏源电压（Vdss） 120V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 188W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP076N12N3 G
  仓库库存编号：IPP076N12N3 G-ND
  别名：IPP076N12N3G
  IPP076N12N3GXKSA1
  SP000652736
  
  规格：漏源电压（Vdss） 120V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 405W（Tc） I2PAK
  
  型号：PSMN6R3-120ESQ
  仓库库存编号：1727-1508-ND
  别名：1727-1508
  568-10988-5
  568-10988-5-ND
  934067856127
  PSMN6R3-120ESQ-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 120V,
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• IXYS
  120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 517W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP110N12T2
  仓库库存编号：IXTP110N12T2-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 120V,
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• IXYS
  120V/140A TRENCHT2 POWER MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 140A（Tc） 577W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP140N12T2
  仓库库存编号：IXTP140N12T2-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 120V,
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