品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 44A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.6A(Ta),44A(Tc) 69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC190N12NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC190N12NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC190N12NS3 GCT
BSC190N12NS3 GCT-ND
BSC190N12NS3GATMA1CT-NDTR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD110N12N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD110N12N3GATMA1CT-ND
别名:IPD110N12N3GATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.4A(Ta),98A(Tc) 139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC077N12NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC077N12NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC077N12NS3 GCT
BSC077N12NS3 GCT-ND
BSC077N12NS3GATMA1CT-NDTR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB038N12N3 G
仓库库存编号:
IPB038N12N3 GCT-ND
别名:IPB038N12N3 GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB036N12N3 G
仓库库存编号:
IPB036N12N3 GCT-ND
别名:IPB036N12N3 GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Ta) 107W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB144N12N3 G
仓库库存编号:
IPB144N12N3 GCT-ND
别名:IPB144N12N3 GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP048N12N3 G
仓库库存编号:
IPP048N12N3 G-ND
别名:IPP048N12N3G
IPP048N12N3GXKSA1
SP000652734
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP041N12N3 G
仓库库存编号:
IPP041N12N3 G-ND
别名:IPP041N12N3G
IPP041N12N3GXKSA1
SP000652746
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 56A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 56A(Ta) 107W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP147N12N3 G
仓库库存编号:
IPP147N12N3 G-ND
别名:IPP147N12N3G
IPP147N12N3GXKSA1
SP000652742
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Infineon Technologies
N-CHANNEL_100+
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD35N12S3L24ATMA1
仓库库存编号:
IPD35N12S3L24ATMA1CT-ND
别名:IPD35N12S3L24ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 37A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Tc) 66W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ240N12NS3 G
仓库库存编号:
BSZ240N12NS3 GCT-ND
别名:BSZ240N12NS3 GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
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Infineon Technologies
N-CHANNEL_100+
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB100N12S305ATMA1
仓库库存编号:
IPB100N12S305ATMA1CT-ND
别名:IPB100N12S305ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 188W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP076N12N3 G
仓库库存编号:
IPP076N12N3 G-ND
别名:IPP076N12N3G
IPP076N12N3GXKSA1
SP000652736
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 75A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 136W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP114N12N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP114N12N3GXKSA1-ND
别名:IPP114N12N3 G
IPP114N12N3 G-ND
IPP114N12N3G
SP000652740
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120V 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD70N12S311ATMA1
仓库库存编号:
IPD70N12S311ATMA1-ND
别名:SP001400108
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 120V 56A(Ta) 107W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI147N12N3GAKSA1
仓库库存编号:
IPI147N12N3GAKSA1-ND
别名:IPI147N12N3 G
IPI147N12N3 G-ND
IPI147N12N3G
SP000652744
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 120V 100A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI076N12N3GAKSA1
仓库库存编号:
IPI076N12N3GAKSA1-ND
别名:IPI076N12N3 G
IPI076N12N3 G-ND
IPI076N12N3G
SP000652738
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 120V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC26N12NX1SA1
仓库库存编号:
IPC26N12NX1SA1-ND
别名:SP000296743
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 120V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N12N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N12N3X1SA1-ND
别名:SP000717450
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 120V 120A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI041N12N3GAKSA1
仓库库存编号:
IPI041N12N3GAKSA1-ND
别名:IPI041N12N3 G
IPI041N12N3 G-ND
IPI041N12N3G
SP000652748
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 120V 75A(Tc) 136W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS110N12N3GBKMA1
仓库库存编号:
IPS110N12N3GBKMA1-ND
别名:IPS110N12N3 G
IPS110N12N3 G-ND
IPS110N12N3GBKMA1TR-ND
SP000674456
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120V 75A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD110N12N3GBUMA1
仓库库存编号:
IPD110N12N3GBUMA1CT-ND
别名:IPD110N12N3 GCT
IPD110N12N3 GCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 37A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 120V 37A(Tc) 66W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC240N12NS3 G
仓库库存编号:
BSC240N12NS3 GCT-ND
别名:BSC240N12NS3 GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 120V,
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