规格:漏源电压(Vdss) 120V,
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IXYS
120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 517W(Tc) TO-263AA
型号:
IXTA110N12T2
仓库库存编号:
IXTA110N12T2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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IXYS
120V/140A TRENCHT2 POWER MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 140A(Tc) 577W(Tc) TO-263AA
型号:
IXTA140N12T2
仓库库存编号:
IXTA140N12T2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 120V 15A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 15A(Tc) 100W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP15P12
仓库库存编号:
FQP15P12-ND
规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 75A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 136W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP114N12N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP114N12N3GXKSA1-ND
别名:IPP114N12N3 G
IPP114N12N3 G-ND
IPP114N12N3G
SP000652740
规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 120V 20A/129A
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),129A(Tc) 3.2W(Ta),156W(Tc) 8-Dual Cool?88
型号:
FDMT800120DC
仓库库存编号:
FDMT800120DCCT-ND
别名:FDMT800120DCCT
规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 120V 32A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 32A(Tc) 30W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK32A12N1,S4X
仓库库存编号:
TK32A12N1S4X-ND
别名:TK32A12N1,S4X(S
TK32A12N1,S4X-ND
TK32A12N1S4X
规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 120V 72A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 72A(Tc) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK72A12N1,S4X
仓库库存编号:
TK72A12N1S4X-ND
别名:TK72A12N1,S4X(S
TK72A12N1,S4X-ND
TK72A12N1S4X
规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 120V 14A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 60W(Tc) TO-220-3
型号:
STP14NF12
仓库库存编号:
STP14NF12-ND
规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 120V 8.5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 8.5A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STP14NF12FP
仓库库存编号:
497-12606-5-ND
别名:497-12606-5
STP14NF12FP-ND
规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 120V 40A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
STP40NF12
仓库库存编号:
497-4381-5-ND
别名:497-4381-5
规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 120V 100A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 136W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL100N12F7
仓库库存编号:
STL100N12F7-ND
规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 120V 0.23A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 230mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN1206L-G-P002
仓库库存编号:
VN1206L-G-P002-ND
规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 120V 70A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 349W(Tc) I2PAK
型号:
PSMN7R8-120PSQ
仓库库存编号:
1727-1816-ND
别名:1727-1816
568-11431-5
568-11431-5-ND
934067448127
PSMN7R8-120PSQ-ND
规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 120V 56A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 56A(Ta) 168W(Tc) TO-220
型号:
TK56E12N1,S1X
仓库库存编号:
TK56E12N1S1X-ND
别名:TK56E12N1,S1X(S
TK56E12N1S1X
规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 349W(Tc) I2PAK
型号:
PSMN7R8-120ESQ
仓库库存编号:
1727-1509-ND
别名:1727-1509
568-10989-5
568-10989-5-ND
934067449127
PSMN7R8-120ESQ-ND
规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 120V 42A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 42A(Tc) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK42A12N1,S4X
仓库库存编号:
TK42A12N1S4X-ND
别名:TK42A12N1,S4X(S
TK42A12N1,S4X-ND
TK42A12N1S4X
规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 120V 72A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 72A(Ta) 255W(Tc) TO-220-3
型号:
TK72E12N1,S1X
仓库库存编号:
TK72E12N1S1X-ND
别名:TK72E12N1,S1X(S
TK72E12N1S1X
规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 120V POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.5A(Ta),102A(Tc) 3.3W(Ta),187W(Tc) Power56
型号:
FDMS86202ET120
仓库库存编号:
FDMS86202ET120CT-ND
别名:FDMS86202ET120CT
规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 120V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 325W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA80N12T2
仓库库存编号:
IXTA80N12T2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120V 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD70N12S311ATMA1
仓库库存编号:
IPD70N12S311ATMA1-ND
别名:SP001400108
规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 120V 56A(Ta) 107W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI147N12N3GAKSA1
仓库库存编号:
IPI147N12N3GAKSA1-ND
别名:IPI147N12N3 G
IPI147N12N3 G-ND
IPI147N12N3G
SP000652744
规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 120V 100A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI076N12N3GAKSA1
仓库库存编号:
IPI076N12N3GAKSA1-ND
别名:IPI076N12N3 G
IPI076N12N3 G-ND
IPI076N12N3G
SP000652738
规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 120V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC26N12NX1SA1
仓库库存编号:
IPC26N12NX1SA1-ND
别名:SP000296743
规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 120V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N12N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N12N3X1SA1-ND
别名:SP000717450
规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 120V 120A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI041N12N3GAKSA1
仓库库存编号:
IPI041N12N3GAKSA1-ND
别名:IPI041N12N3 G
IPI041N12N3 G-ND
IPI041N12N3G
SP000652748
规格:漏源电压(Vdss) 120V,
无铅
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