规格：漏源电压（Vdss） 25V,
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Nexperia USA Inc.
PSMN6R1-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 42W（Tc） LFPAK33
型号：
PSMN6R1-25MLDX
仓库库存编号：
1727-2504-1-ND
别名：1727-2504-1
568-12936-1
568-12936-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 73A LL LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 73A（Tc） 58W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN6R0-25YLB,115
仓库库存编号：
1727-6497-1-ND
别名：1727-6497-1
568-8529-1
568-8529-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 16A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta） 3W（Ta），30W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
型号：
IRFHM8235TRPBF
仓库库存编号：
IRFHM8235TRPBFCT-ND
别名：IRFHM8235TRPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 12A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），26W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ060NE2LS
仓库库存编号：
BSZ060NE2LSCT-ND
别名：BSZ060NE2LSCT
规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 16A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），37W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ036NE2LS
仓库库存编号：
BSZ036NE2LSCT-ND
别名：BSZ036NE2LSCT
规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC018NE2LSI
仓库库存编号：
BSC018NE2LSICT-ND
别名：BSC018NE2LSICT
规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PH2925U,115
仓库库存编号：
1727-3121-1-ND
别名：1727-3121-1
568-2344-1
568-2344-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPDH6N03LAG
仓库库存编号：
IPDH6N03LAGINCT-ND
别名：IPDH6N03LAGINCT
IPDH6N03LAGXTINCT
IPDH6N03LAGXTINCT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 100A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），160W（Tc） 8-PQFN（5x6）
型号：
IRFH8202TRPBF
仓库库存编号：
IRFH8202TRPBFCT-ND
别名：IRFH8202TRPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
PSMN0R9-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 238W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN0R9-25YLDX
仓库库存编号：
1727-2494-1-ND
别名：1727-2494-1
568-12926-1
568-12926-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），163A（Tc） 2.8W（Ta），57W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB013NE2LXI
仓库库存编号：
BSB013NE2LXICT-ND
别名：BSB013NE2LXICT
规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 25A 8-SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF8252TRPBF
仓库库存编号：
IRF8252TRPBFCT-ND
别名：IRF8252TRPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 18A, 30A 1W Surface Mount PG-TISON-8
型号：
BSC0911NDATMA1
仓库库存编号：
BSC0911NDATMA1CT-ND
别名：BSC0911NDATMA1CT
规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 41A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 41A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），74W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC009NE2LS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC009NE2LS5ATMA1CT-ND
别名：BSC009NE2LS5ATMA1CT
规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3-11
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPDH4N03LAG
仓库库存编号：
IPDH4N03LAGINCT-ND
别名：IPDH4N03LAGINCT
IPDH4N03LAGXTINCT
IPDH4N03LAGXTINCT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 41A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC009NE2LS
仓库库存编号：
BSC009NE2LSCT-ND
别名：BSC009NE2LSCT
规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 40A 8TDSON IND
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），74W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC009NE2LS5IATMA1
仓库库存编号：
BSC009NE2LS5IATMA1CT-ND
别名：BSC009NE2LS5IATMA1CT
规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 64A, 145A 31W, 50W Surface Mount PQFN (5x6)
型号：
IRFH4253DTRPBF
仓库库存编号：
IRFH4253DTRPBFCT-ND
别名：IRFH4253DTRPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 19A, 41A 2.5W Surface Mount PG-TISON-8
型号：
BSG0811NDATMA1
仓库库存编号：
BSG0811NDATMA1CT-ND
别名：BSG0811NDATMA1CT
规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 100A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） 8-PQFN（5x6）
型号：
IRFH8201TRPBF
仓库库存编号：
IRFH8201TRPBFCT-ND
别名：IRFH8201TRPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 49A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Ta） 3.5W（Ta），156W（Tc） 8-PQFN（5x6）
型号：
IRFH4201TRPBF
仓库库存编号：
IRFH4201TRPBFCT-ND
别名：IRFH4201TRPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 90A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 115W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD03N03LA G
仓库库存编号：
IPD03N03LAGINCT-ND
别名：IPD03N03LAG
IPD03N03LAGINCT
规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 25V 64A, 188A 31W, 63W Surface Mount PQFN (5x6)
型号：
IRFH4251DTRPBF
仓库库存编号：
IRFH4251DTRPBFCT-ND
别名：IRFH4251DTRPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET-MX
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta），200A（Tc） 2.8W（Ta），100W（Tc） DIRECTFET? MX
型号：
IRF6794MTR1PBF
仓库库存编号：
IRF6794MTR1PBFCT-ND
别名：IRF6794MTR1PBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 11.2A（Ta），73A（Tc） 1.3W（Ta），54.5W（Tc） I-Pak
型号：
NTD4858N-35G
仓库库存编号：
NTD4858N-35GOS-ND
别名：NTD4858N-35G-ND
NTD4858N-35GOS
规格：漏源电压（Vdss） 25V,
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