规格:漏源电压(Vdss) 55V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(1084)
分立半导体产品
(1084)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (2)
Diodes Incorporated (1)
Honeywell Microelectronics & Precision Sensors (4)
Infineon Technologies (609)
IXYS (70)
Nexperia USA Inc. (112)
NXP USA Inc. (87)
Fairchild/ON Semiconductor (98)
Panasonic Electronic Components (7)
Renesas Electronics America (32)
Sanken (1)
STMicroelectronics (46)
Vishay Siliconix (15)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 36A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 55V 36A(Tc) 42W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFIZ48N
仓库库存编号:
IRFIZ48N-ND
别名:*IRFIZ48N
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 22A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 55V 22A(Tc) 37W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLIZ34N
仓库库存编号:
IRLIZ34N-ND
别名:*IRLIZ34N
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 55V 64A(Tc) 140W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP048N
仓库库存编号:
IRFP048N-ND
别名:*IRFP048N
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 49A(Tc) 3.8W(Ta),94W(Tc) D2PAK
型号:
94-2386
仓库库存编号:
94-2386-ND
别名:*IRFZ44NS
IRFZ44NS
IRFZ44NS-ND
SP001520076
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 42A(Tc) 110W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU2905
仓库库存编号:
IRLU2905-ND
别名:*IRLU2905
Q853121
SP001553032
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 85A(Tc) 180W(Tc) D2PAK
型号:
94-4796
仓库库存编号:
94-4796-ND
别名:*IRF1010NS
IRF1010NS
IRF1010NS-ND
SP001516322
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 31A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) D2PAK
型号:
94-4582
仓库库存编号:
94-4582-ND
别名:*IRF5305S
IRF5305S
IRF5305S-ND
SP001520922
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 55V 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
94-3449
仓库库存编号:
94-3449-ND
别名:*IRF7342
IRF7342
IRF7342-ND
SP001517810
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 12A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z24NS
仓库库存编号:
IRF9Z24NS-ND
别名:*IRF9Z24NS
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 18A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR5505
仓库库存编号:
IRFR5505-ND
别名:*IRFR5505
SP001573284
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 55V 31A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU5305
仓库库存编号:
IRFU5305-ND
别名:*IRFU5305
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 55V 18A(Tc) 57W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU5505
仓库库存编号:
IRFU5505-ND
别名:*IRFU5505
SP001552454
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 29A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ34NS
仓库库存编号:
IRFZ34NS-ND
别名:*IRFZ34NS
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 29A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ34NSTRR
仓库库存编号:
IRFZ34NSTRR-ND
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 49A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 49A(Tc) 3.8W(Ta),94W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ44NL
仓库库存编号:
IRFZ44NL-ND
别名:*IRFZ44NL
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 53A(Tc) 3.8W(Ta),107W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ46NS
仓库库存编号:
IRFZ46NS-ND
别名:*IRFZ46NS
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 64A(Tc) 3.8W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
94-2989
仓库库存编号:
94-2989-ND
别名:*IRFZ48NS
IRFZ48NS
IRFZ48NS-ND
SP001518334
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 64A(Tc) 3.8W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ48NSTRR
仓库库存编号:
IRFZ48NSTRR-ND
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 104A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL2505S
仓库库存编号:
IRL2505S-ND
别名:*IRL2505S
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 89A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3705NS
仓库库存编号:
IRL3705NS-ND
别名:*IRL3705NS
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 89A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3705NSTRL
仓库库存编号:
IRL3705NSTRL-ND
别名:SP001571922
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 2A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRLL014NTR
仓库库存编号:
IRLL014NTR-ND
别名:SP001558818
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 17A(Tc) 45W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU024N
仓库库存编号:
IRLU024N-ND
别名:*IRLU024N
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 18A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
IRLZ24NS
仓库库存编号:
IRLZ24NS-ND
别名:*IRLZ24NS
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRLZ34NS
仓库库存编号:
IRLZ34NS-ND
别名:*IRLZ34NS
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号