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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 215W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI80N06S2-08
  仓库库存编号：SPI80N06S2-08-ND
  别名：SP000013911
  SPI80N06S208
  
  规格：漏源电压（Vdss） 55V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI80N06S2L-05
  仓库库存编号：SPI80N06S2L-05-ND
  别名：SP000016360
  SPI80N06S2L05
  
  规格：漏源电压（Vdss） 55V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI80N06S2L-11
  仓库库存编号：SPI80N06S2L-11-ND
  别名：SP000029960
  SPI80N06S2L11
  
  规格：漏源电压（Vdss） 55V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP100N06S2-05
  仓库库存编号：SPP100N06S2-05-ND
  别名：SP000013720
  SPP100N06S205
  
  规格：漏源电压（Vdss） 55V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP100N06S2L-05
  仓库库存编号：SPP100N06S2L-05-ND
  别名：SP000013721
  SPP100N06S2L05
  
  规格：漏源电压（Vdss） 55V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP77N06S2-12
  仓库库存编号：SPP77N06S2-12-ND
  别名：SP000013588
  SPP77N06S212
  
  规格：漏源电压（Vdss） 55V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S2-05
  仓库库存编号：SPP80N06S2-05-ND
  别名：SP000012473
  SPP80N06S205
  
  规格：漏源电压（Vdss） 55V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S2-07
  仓库库存编号：SPP80N06S2-07-ND
  别名：SP000013579
  SPP80N06S207
  
  规格：漏源电压（Vdss） 55V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 215W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S2-08
  仓库库存编号：SPP80N06S2-08-ND
  别名：SP000012822
  SPP80N06S208
  
  规格：漏源电压（Vdss） 55V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S2-09
  仓库库存编号：SPP80N06S2-09-ND
  别名：SP000013583
  SPP80N06S209
  
  规格：漏源电压（Vdss） 55V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S2-H5
  仓库库存编号：SPP80N06S2-H5-ND
  别名：SP000014000
  SPP80N06S2H5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 55V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S2L-05
  仓库库存编号：SPP80N06S2L-05-ND
  别名：SP000012474
  SPP80N06S2L05
  
  规格：漏源电压（Vdss） 55V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S2L-06
  仓库库存编号：SPP80N06S2L-06-ND
  别名：SP000013576
  SPP80N06S2L06
  
  规格：漏源电压（Vdss） 55V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 210W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S2L-07
  仓库库存编号：SPP80N06S2L-07-ND
  别名：SP000012823
  SPP80N06S2L07
  
  规格：漏源电压（Vdss） 55V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S2L-09
  仓库库存编号：SPP80N06S2L-09-ND
  别名：SP000013580
  SPP80N06S2L09
  
  规格：漏源电压（Vdss） 55V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S2L-11
  仓库库存编号：SPP80N06S2L-11-ND
  别名：SP000013584
  SPP80N06S2L11
  
  规格：漏源电压（Vdss） 55V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S2L-H5
  仓库库存编号：SPP80N06S2L-H5-ND
  别名：SP000014001
  SPP80N06S2LH5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 55V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB100N06S3-04
  仓库库存编号：IPB100N06S3-04INCT-ND
  别名：IPB100N06S3-04INCT
  IPB100N06S304
  
  规格：漏源电压（Vdss） 55V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB100N06S3L-04
  仓库库存编号：IPB100N06S3L-04INCT-ND
  别名：IPB100N06S3L-04INCT
  IPB100N06S3L04
  
  规格：漏源电压（Vdss） 55V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 45A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 45A（Tc） 65W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB45N06S3-16
  仓库库存编号：IPB45N06S3-16INCT-ND
  别名：IPB45N06S3-16INCT
  IPB45N06S316
  
  规格：漏源电压（Vdss） 55V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 45A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 45A（Tc） 65W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB45N06S3L-13
  仓库库存编号：IPB45N06S3L-13INCT-ND
  别名：IPB45N06S3L-13INCT
  IPB45N06S3L13
  
  规格：漏源电压（Vdss） 55V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 165W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S3L-05
  仓库库存编号：IPB80N06S3L-05INCT-ND
  别名：IPB80N06S3L-05INCT
  IPB80N06S3L05
  
  规格：漏源电压（Vdss） 55V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S3L-06
  仓库库存编号：IPB80N06S3L-06INCT-ND
  别名：IPB80N06S3L-06INCT
  IPB80N06S3L06
  
  规格：漏源电压（Vdss） 55V,
• 无铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
  
  型号：PHB119NQ06T,118
  仓库库存编号：PHB119NQ06T,118-ND
  别名：934058551118
  PHB119NQ06T /T3
  PHB119NQ06T /T3-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 55V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 31A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR5305CPBF
  仓库库存编号：IRFR5305CPBF-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 55V,
• 无铅
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