规格:漏源电压(Vdss) 55V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 18A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR5505CPBF
仓库库存编号:
IRFR5505CPBF-ND
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 26A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR4343-701PBF
仓库库存编号:
IRLR4343-701PBF-ND
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 20A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR9343-701PBF
仓库库存编号:
IRLR9343-701PBF-ND
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 36A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 36A(Ta) D-Pak
型号:
IRLR2905CPBF
仓库库存编号:
IRLR2905CPBF-ND
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 18A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR5505CTRLPBF
仓库库存编号:
IRFR5505CTRLPBF-ND
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 26A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR4343TRRPBF
仓库库存编号:
IRLR4343TRRPBF-ND
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 42A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR1010ZTRRPBF
仓库库存编号:
IRFR1010ZTRRPBF-ND
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 5.1A 2.4W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7341QTRPBF
仓库库存编号:
IRF7341QTRPBFCT-ND
别名:IRF7341QTRPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 55V 4.7A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7343QTRPBF
仓库库存编号:
IRF7343QTRPBFCT-ND
别名:IRF7343QTRPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 55V 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7342QTRPBF
仓库库存编号:
IRF7342QTRPBFCT-ND
别名:IRF7342QTRPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 55V 31A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) TO-262
型号:
IRF5305LPBF
仓库库存编号:
IRF5305LPBF-ND
别名:SP001574828
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 55V 11A TO-220FP-5
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 11A 14W Through Hole TO-220-5 Full-Pak
型号:
IRFI4024H-117P
仓库库存编号:
IRFI4024H-117P-ND
别名:IRFI4024H117P
SP001566762
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 300W(Tc) TO-262
型号:
IRF3805LPBF
仓库库存编号:
IRF3805LPBF-ND
别名:SP001574608
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 120A(Tc) 230W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
AUXAKF1405ZS-7P
仓库库存编号:
AUXAKF1405ZS-7P-ND
别名:IRF1405ZS-7PPBF
IRF1405ZS-7PPBF-ND
SP001518940
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 160A(Tc) 300W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
IRF3805L-7PPBF
仓库库存编号:
IRF3805L-7PPBF-ND
别名:SP001576702
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 26A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR4343TRPBF
仓库库存编号:
IRLR4343TRPBF-ND
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 10A(Tc) 28W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR014NTRPBF
仓库库存编号:
IRLR014NTRPBF-ND
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 540mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS670S2LL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS670S2LL6327HTSA1TR-ND
别名:BSS670S2L L6327
BSS670S2L L6327-ND
SP000247301
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N06S205ATMA1
仓库库存编号:
IPB100N06S205ATMA1TR-ND
别名:IPB100N06S2-05
IPB100N06S2-05-ND
SP000218874
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N06S2L05ATMA1
仓库库存编号:
IPB100N06S2L05ATMA1TR-ND
别名:IPB100N06S2L-05
IPB100N06S2L-05-ND
SP000219003
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 77A(Tc) 158W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB77N06S212ATMA1
仓库库存编号:
IPB77N06S212ATMA1TR-ND
别名:IPB77N06S2-12
IPB77N06S2-12-ND
SP000218173
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S205ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S205ATMA1TR-ND
别名:IPB80N06S2-05
IPB80N06S2-05-ND
SP000218877
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S207ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S207ATMA1TR-ND
别名:IPB80N06S2-07
IPB80N06S2-07-ND
SP000218818
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 215W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S208ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S208ATMA1TR-ND
别名:IPB80N06S2-08
IPB80N06S2-08-ND
SP000218830
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 190W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S209ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S209ATMA1TR-ND
别名:IPB80N06S2-09
IPB80N06S2-09-ND
SP000218741
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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