规格:漏源电压(Vdss) 55V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(1084)
分立半导体产品
(1084)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (2)
Diodes Incorporated (1)
Honeywell Microelectronics & Precision Sensors (4)
Infineon Technologies (609)
IXYS (70)
Nexperia USA Inc. (112)
NXP USA Inc. (87)
Fairchild/ON Semiconductor (98)
Panasonic Electronic Components (7)
Renesas Electronics America (32)
Sanken (1)
STMicroelectronics (46)
Vishay Siliconix (15)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 215W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S208AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N06S208AKSA1-ND
别名:IPP80N06S2-08
IPP80N06S2-08-ND
SP000218826
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 190W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S209AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N06S209AKSA1-ND
别名:IPP80N06S2-09
IPP80N06S2-09-ND
SP000218740
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2H5AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N06S2H5AKSA1-ND
别名:IPP80N06S2-H5
IPP80N06S2-H5-ND
SP000218155
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2L06AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N06S2L06AKSA1-ND
别名:IPP80N06S2L-06
IPP80N06S2L-06-ND
SP000218824
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 190W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2L09AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N06S2L09AKSA1-ND
别名:IPP80N06S2L-09
IPP80N06S2L-09-ND
SP000218742
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 158W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2L11AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N06S2L11AKSA1-ND
别名:IPP80N06S2L-11
IPP80N06S2L-11-ND
SP000218175
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2LH5AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N06S2LH5AKSA1-ND
别名:IPP80N06S2L-H5
IPP80N06S2L-H5-ND
SP000219067
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 18A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR5505GTRPBF
仓库库存编号:
IRFR5505GTRPBFCT-ND
别名:IRFR5505GTRPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 45A(Tc) 103W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK7524-55,127
仓库库存编号:
BUK7524-55,127-ND
别名:934045180127
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 34A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 34A(Tc) 85W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK9535-55,127
仓库库存编号:
BUK9535-55,127-ND
别名:934050420127
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 32A(Tc) 77W(Tc) DPAK
型号:
BUK9237-55A/C1,118
仓库库存编号:
BUK9237-55A/C1,118-ND
别名:934061634118
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 48A(Tc) 103W(Tc) DPAK
型号:
BUK9222-55A/C1,118
仓库库存编号:
BUK9222-55A/C1,118-ND
别名:934061635118
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 167W(Tc) DPAK
型号:
BUK7210-55B/C1,118
仓库库存编号:
BUK7210-55B/C1,118-ND
别名:934062108118
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 55V 15A TDSON-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 15A 21W Surface Mount PG-TDSON-8-4
型号:
IPG15N06S3L-45
仓库库存编号:
IPG15N06S3L-45-ND
别名:SP000396302
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 20A 45W Surface Mount PG-TDSON-8-4
型号:
IPG20N06S3L-23
仓库库存编号:
IPG20N06S3L-23-ND
别名:SP000396304
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 20A 30W Surface Mount PG-TDSON-8-4
型号:
IPG20N06S3L-35
仓库库存编号:
IPG20N06S3L-35-ND
别名:SP000396306
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 120A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1405ZSTRL7PP
仓库库存编号:
IRF1405ZSTRL7PPCT-ND
别名:IRF1405ZSTRL7PPCT
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 16A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 16A(Tc) 35W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR024ZTRPBF
仓库库存编号:
IRLR024ZTRPBFCT-ND
别名:IRLR024ZTRPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 150A TO263CA-7
详细描述:通孔 N 沟道 55V 120A(Tc) 230W(Tc) TO-263CA-7
型号:
IRF1405ZL-7PPBF
仓库库存编号:
IRF1405ZL-7PPBF-ND
别名:SP001563240
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3505TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3505TRPBFCT-ND
别名:IRFR3505TRPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ24NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRFZ24NSTRLPBFCT-ND
别名:IRFZ24NSTRLPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF1010ZS
仓库库存编号:
AUIRF1010ZS-ND
别名:SP001519530
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 150A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF1405ZS
仓库库存编号:
AUIRF1405ZS-ND
别名:SP001519512
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 160A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF3805S
仓库库存编号:
AUIRF3805S-ND
别名:SP001518016
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 160A(Tc) 300W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
AUIRF3805S-7P
仓库库存编号:
AUIRF3805S-7P-ND
别名:SP001522074
规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
搜索
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号