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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 76A（Tc） 188W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB6410ANT4G
  仓库库存编号：NTB6410ANT4GOSCT-ND
  别名：NTB6410ANT4GOSCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 63W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRLI2910PBF
  仓库库存编号：IRLI2910PBF-ND
  别名：*IRLI2910PBF
  SP001558218
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 120A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM120N10-3M8_GE3
  仓库库存编号：SQM120N10-3M8_GE3TR-ND
  别名：SQM120N10-3M8_GE3TR
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 120A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM120N10-3M8_GE3
  仓库库存编号：SQM120N10-3M8_GE3CT-ND
  别名：SQM120N10-3M8_GE3-ND
  SQM120N10-3M8_GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 40A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 40A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF5210PBF
  仓库库存编号：IRF5210PBF-ND
  别名：*IRF5210PBF
  SP001559642
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），124A（Tc） 3.3W（Ta），125W（Tc） DIRECTFET L8
  
  型号：IRF7769L1TRPBF
  仓库库存编号：IRF7769L1TRPBFCT-ND
  别名：IRF7769L1TRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 370W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLS4030TRLPBF
  仓库库存编号：IRLS4030TRLPBFCT-ND
  别名：IRLS4030TRLPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 375W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS4010TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS4010TRLPBFCT-ND
  别名：IRFS4010TRLPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP045N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP045N10N3GXKSA1-ND
  别名：IPP045N10N3 G
  IPP045N10N3 G-ND
  IPP045N10N3G
  SP000680794
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB047N10
  仓库库存编号：FDB047N10CT-ND
  别名：FDB047N10CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
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• EPC
  TRANS GAN 100V BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2045ENGRT
  仓库库存编号：917-EPC2045ENGRCT-ND
  别名：917-EPC2045ENGRCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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  无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP80N10T
  仓库库存编号：IXTP80N10T-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP60NF10
  仓库库存编号：497-4384-5-ND
  别名：497-4384-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V 200A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Ta） 300W（Tc） DDPAK/TO-263-3
  
  型号：CSD19535KTTT
  仓库库存编号：296-41135-1-ND
  别名：296-41135-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 含铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta），80A（Tc） 310W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP3632
  仓库库存编号：FDP3632-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 150A（Ta） 300W（Tc） TO-220-3
  
  型号：CSD19535KCS
  仓库库存编号：296-37288-5-ND
  别名：296-37288-5
  CSD19535KCS-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB020N10N5ATMA1
  仓库库存编号：IPB020N10N5ATMA1CT-ND
  别名：IPB020N10N5ATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 120A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 280W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP4310ZPBF
  仓库库存编号：IRFP4310ZPBF-ND
  别名：SP001572864
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB025N10N3 G
  仓库库存编号：IPB025N10N3 GCT-ND
  别名：IPB025N10N3 GCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 140A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Ta），140A（Tc） 2.1W（Ta），500W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT290L
  仓库库存编号：785-1271-5-ND
  别名：785-1271-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 31A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP140PBF
  仓库库存编号：IRFP140PBF-ND
  别名：*IRFP140PBF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 19A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），132A（Tc） 3.4W（Ta），165W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS6B03NT1G
  仓库库存编号：NTMFS6B03NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS6B03NT1GOSCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 375W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB017N10N5ATMA1
  仓库库存编号：IPB017N10N5ATMA1CT-ND
  别名：IPB017N10N5ATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 120A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 370W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP4110PBF
  仓库库存编号：IRFP4110PBF-ND
  别名：AUXUSFP4110
  AUXUSFP4110-ND
  SP001556724
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 180A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 180A（Tc） 480W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP180N10T
  仓库库存编号：IXTP180N10T-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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