规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 50W（Tc） DPAK+
型号：
TK7S10N1Z,LQ
仓库库存编号：
TK7S10N1ZLQCT-ND
别名：TK7S10N1ZLQCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 11A TP-FA
详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta） 1W（Ta），35W（Tc） TP-FA
型号：
SFT1345-TL-H
仓库库存编号：
SFT1345-TL-HOSCT-ND
别名：SFT1345-TL-HOSCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7473TRPBF
仓库库存编号：
IRF7473PBFCT-ND
别名：*IRF7473TRPBF
IRF7473PBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta），19A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? SH
型号：
IRF6655TRPBF
仓库库存编号：
IRF6655TRPBFCT-ND
别名：IRF6655TRPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） D2PAK
型号：
IRL530NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRL530NSTRLPBFCT-ND
别名：IRL530NSTRLPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB083N10N3 G
仓库库存编号：
IPB083N10N3 GCT-ND
别名：IPB083N10N3 GCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 58.8A（Tc） 5W（Ta），56.8W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIJ470DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIJ470DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIJ470DP-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 1.6W（Ta），61W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH8R80ANH,L1Q
仓库库存编号：
TPH8R80ANHL1QCT-ND
别名：TPH8R80ANHL1QCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD082N10N3GATMA1
仓库库存编号：
IPD082N10N3GATMA1CT-ND
别名：IPD082N10N3GATMA1CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 48W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRLU120NPBF
仓库库存编号：
IRLU120NPBF-ND
别名：*IRLU120NPBF
SP001567330
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Tc） 92W（Tc） D2PAK
型号：
IRF540ZSTRLPBF
仓库库存编号：
IRF540ZSTRLPBFCT-ND
别名：IRF540ZSTRLPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.8A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号：
SI7922DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7922DN-T1-E3CT-ND
别名：SI7922DN-T1-E3CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 450mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVN4210A
仓库库存编号：
ZVN4210A-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
详细描述：Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V 1A, 800mA 1.3W Surface Mount SM8
型号：
ZXMHC10A07T8TA
仓库库存编号：
ZXMHC10A07T8CT-ND
别名：ZXMHC10A07T8CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR120PBF
仓库库存编号：
IRFR120PBF-ND
别名：*IRFR120PBF
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 125W（Tc） D-Pak
型号：
STD40NF10
仓库库存编号：
497-7969-1-ND
别名：497-7969-1
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU120PBF
仓库库存编号：
IRFU120PBF-ND
别名：*IRFU120PBF
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF530NPBF
仓库库存编号：
IRF530NPBF-ND
别名：*IRF530NPBF
SP001570120
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 7.4A POWER56-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.4A（Ta），22A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） Power56
型号：
FDMS3672
仓库库存编号：
FDMS3672CT-ND
别名：FDMS3672CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 3.8W（Ta），160W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1310NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRF1310NSTRLPBFCT-ND
别名：IRF1310NSTRLPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 48W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL520NPBF
仓库库存编号：
IRL520NPBF-ND
别名：*IRL520NPBF
SP001558080
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 9.7A（Tc） 48W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF520NPBF
仓库库存编号：
IRF520NPBF-ND
别名：*IRF520NPBF
SP001571310
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 79W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL530NPBF
仓库库存编号：
IRL530NPBF-ND
别名：*IRL530NPBF
64-0095PBF
64-0095PBF-ND
SP001578734
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
IRF540STRLPBF
仓库库存编号：
IRF540STRLPBFCT-ND
别名：IRF540STRLPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP180N10N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP180N10N3GXKSA1-ND
别名：IPP180N10N3 G
IPP180N10N3 G-ND
IPP180N10N3G
SP000683090
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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