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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 27A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Tc） 45W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ416EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ416EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ416EP-T1_GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 45A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Ta），45A（Tc） 2.5W（Ta），150W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB416
  仓库库存编号：785-1210-1-ND
  别名：785-1210-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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  无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.4A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FQD12P10TM_F085
  仓库库存编号：FQD12P10TM_F085CT-ND
  别名：FQD12P10TM_F085CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800mA（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZVN4210GTA
  仓库库存编号：ZVN4210GCT-ND
  别名：ZVN4210GCT
  ZVN4210GTA-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 17A TP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 1W（Ta），35W（Tc） TP-FA
  
  型号：SFT1445-TL-H
  仓库库存编号：SFT1445-TL-HOSCT-ND
  别名：SFT1445-TL-HOSCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N-CH 100V 15A UG-1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 1W（Ta），20W（Tc） U-G1
  
  型号：2SK303100L
  仓库库存编号：2SK303100LCT-ND
  别名：2SK303100LCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 48A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 48A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ418EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ418EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ418EP-T1_GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 100V 2A 1.8W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：ZXMC10A816N8TC
  仓库库存编号：ZXMC10A816N8DICT-ND
  别名：ZXMC10A816N8DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• EPC
  MOSFET N-CH 100V 1.7A DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2036ENGRT
  仓库库存编号：917-EPC2036ENGRCT-ND
  别名：917-EPC2036ENGRCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 100V 2.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.4A（Ta） 2W（Ta） TO-252-3
  
  型号：ZXMP10A17KTC
  仓库库存编号：ZXMP10A17KCT-ND
  别名：ZXMP10A17KCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8A（Tc） 2.4W（Ta），4.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4102DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4102DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4102DY-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET ARRAY N/P-CH 100V SO8
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 100V 15A (Tc), 9.5A (Tc) 27W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SQJ570EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ570EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ570EP-T1_GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 15.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15.3A（Tc） 42W（Tc） TO-252-5
  
  型号：FDD850N10LD
  仓库库存编号：FDD850N10LDCT-ND
  别名：FDD850N10LDCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 100V SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.4A（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZXMP10A17GQTA
  仓库库存编号：ZXMP10A17GQTADICT-ND
  别名：ZXMP10A17GQTADICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 7.3A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Ta），44A（Tc） 1.3W（Ta）, 46W（Tc） PowerDI5060-8
  
  型号：DMT10H015LPS-13
  仓库库存编号：DMT10H015LPS-13DICT-ND
  别名：DMT10H015LPS-13DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 8.3A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.3A（Ta） 1.2W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMT10H015LSS-13
  仓库库存编号：DMT10H015LSS-13DICT-ND
  别名：DMT10H015LSS-13DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS892ADN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS892ADN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS892ADN-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 71W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SQD70140EL_GE3
  仓库库存编号：SQD70140EL_GE3TR-ND
  别名：SQD70140EL_GE3TR
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 71W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SQD70140EL_GE3
  仓库库存编号：SQD70140EL_GE3CT-ND
  别名：SQD70140EL_GE3-ND
  SQD70140EL_GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 100V 1.2A 6-SSOT
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.2A 690mW Surface Mount SuperSOT?-6
  
  型号：FDC8602
  仓库库存编号：FDC8602CT-ND
  别名：FDC8602CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET ARRAY 2N-CH 100V SO8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 34A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual Asymmetric
  
  型号：SQJ990EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ990EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ990EP-T1_GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.9A（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZXMN10A25GTA
  仓库库存编号：ZXMN10A25GTACT-ND
  别名：ZXMN10A25GCT
  ZXMN10A25GCT-ND
  ZXMN10A25GTACT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 68.8A（Tc） 3W（Ta） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：DMT10H010LK3-13
  仓库库存编号：DMT10H010LK3-13DICT-ND
  别名：DMT10H010LK3-13DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 12A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 24W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF680N10T
  仓库库存编号：FDPF680N10T-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 700mW（Ta），42W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN1600ANH,L1Q
  仓库库存编号：TPN1600ANHL1QCT-ND
  别名：TPN1600ANHL1QCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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