规格:漏源电压(Vdss) 100V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(2409)
分立半导体产品
(2409)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (82)
Microchip Technology (11)
Central Semiconductor Corp (2)
Diodes Incorporated (116)
EPC (27)
GeneSiC Semiconductor (1)
Infineon Technologies (596)
IXYS (172)
Microsemi Corporation (105)
Nexperia USA Inc. (152)
NXP USA Inc. (46)
Fairchild/ON Semiconductor (357)
ON Semiconductor (127)
Panasonic Electronic Components (3)
Renesas Electronics America (27)
Rohm Semiconductor (19)
Sanken (17)
STMicroelectronics (118)
Taiwan Semiconductor Corporation (24)
Texas Instruments (19)
Toshiba Semiconductor and Storage (30)
Vishay Semiconductor Diodes Division (4)
Vishay Siliconix (354)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.5A(Tc) 3.7W(Ta),23W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR698DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR698DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR698DP-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Tc) 100W(Tc) DPAK
型号:
NTD6414ANT4G
仓库库存编号:
NTD6414ANT4GOSCT-ND
别名:NTD6414ANT4GOSCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 45A
详细描述:表面贴装 N 沟道 45A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
STD47N10F7AG
仓库库存编号:
497-16303-1-ND
别名:497-16303-1
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 100V 2A, 1.5A 1.5W Surface Mount TSMT8
型号:
QS8M51TR
仓库库存编号:
QS8M51CT-ND
别名:QS8M51CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 63A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 63A(Tc) 203W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK9520-100B,127
仓库库存编号:
568-5227-5-ND
别名:568-5227
568-5227-5
568-5227-ND
934063477127
BUK9520100B127
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 1.6W(Ta) PowerDI5060-8
型号:
DMNH10H028SPS-13
仓库库存编号:
DMNH10H028SPS-13DICT-ND
别名:DMNH10H028SPS-13DICT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 55A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 55A(Tc) 2W(Ta) TO-252,(D-Pak)
型号:
DMNH10H028SK3-13
仓库库存编号:
DMNH10H028SK3-13DICT-ND
别名:DMNH10H028SK3-13DICT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 22A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Tc) 3.8W(Ta),60W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD3690
仓库库存编号:
FDD3690CT-ND
别名:FDD3690CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 1.6W(Ta),48W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPH1400ANH,L1Q
仓库库存编号:
TPH1400ANHL1QCT-ND
别名:TPH1400ANHL1QCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 8A PWRFLAT56
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 75W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL30N10F7
仓库库存编号:
497-14540-1-ND
别名:497-14540-1
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A SOP8
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 100V 3A, 2.5A 2W Surface Mount 8-SOP
型号:
SP8M51TB1
仓库库存编号:
SP8M51TB1CT-ND
别名:SP8M51TB1CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 100W(Tc) D-Pak
型号:
STD25NF10T4
仓库库存编号:
497-7962-1-ND
别名:497-7962-1
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 9.4A
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.4A(Ta),98A(Tc) 1.2W(Ta), 139W(Tc) PowerDI5060-8
型号:
DMT10H010LPS-13
仓库库存编号:
DMT10H010LPS-13DICT-ND
别名:DMT10H010LPS-13DICT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 7A POWER33
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta),18A(Tc) 2.3W(Ta),41W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)
型号:
FDMC86102L
仓库库存编号:
FDMC86102LFSCT-ND
别名:FDMC86102LFSCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 4.1W(Ta),29.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7454DDP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7454DDP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7454DDP-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 110W(Tc) TO-252AA
型号:
HUF76629D3ST
仓库库存编号:
HUF76629D3STCT-ND
别名:HUF76629D3STCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 97A(Tc) 221W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF100B202
仓库库存编号:
IRF100B202-ND
别名:SP001561488
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 91W(Tc) DPAK
型号:
AUIRFR540Z
仓库库存编号:
AUIRFR540Z-ND
别名:SP001521742
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 6A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta),32A(Tc) 95W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB3682
仓库库存编号:
FDB3682FSCT-ND
别名:FDB3682FSCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Tc) 50W(Tc) DPAK
型号:
STD30N10F7
仓库库存编号:
497-14531-1-ND
别名:497-14531-1
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 100V TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 136W(Tc) TO-252
型号:
SQD50N10-8M9L_GE3
仓库库存编号:
SQD50N10-8M9L_GE3CT-ND
别名:SQD50N10-8M9L_GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 13A SOT428
详细描述:表面贴装 P 沟道 13A(Ta) 20W(Ta) CPT3
型号:
RSD130P10TL
仓库库存编号:
RSD130P10TLCT-ND
别名:RSD130P10TLCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7454DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7454DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7454DP-T1-E3CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP086N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP086N10N3GXKSA1-ND
别名:IPP086N10N3 G
IPP086N10N3 G-ND
IPP086N10N3G
SP000680840
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 27.8A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 27.8A(Tc) 5W(Ta),35.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7456DDP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7456DDP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7456DDP-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号