规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 210A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Tc) 3.5W(Ta), 250W(Tc) 8-PSOF
型号:
FDBL0260N100
仓库库存编号:
FDBL0260N100CT-ND
别名:FDBL0260N100CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 140A(Tc) 375W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA140N10
仓库库存编号:
FQA140N10-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 315W(Tc) H2PAK
型号:
STH180N10F3-2
仓库库存编号:
497-11216-1-ND
别名:497-11216-1
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Tc) 3.8W(Ta), 250W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
FDB0300N1007L
仓库库存编号:
FDB0300N1007LCT-ND
别名:FDB0300N1007LCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 65A(Ta) 100W(Tc) LPTS
型号:
RSJ650N10TL
仓库库存编号:
RSJ650N10TLCT-ND
别名:RSJ650N10TLCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 48A(Ta) 模具
型号:
EPC2032ENGRT
仓库库存编号:
917-EPC2032ENGRCT-ND
别名:917-EPC2032ENGRCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 13A
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta),72A(Tc) 3.2W(Ta),113W(Tc) 8-Dual Cool?88
型号:
FDMT800152DC
仓库库存编号:
FDMT800152DCCT-ND
别名:FDMT800152DCCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 24A
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Ta),162A(Tc) 3.2W(Ta),156W(Tc) 8-Dual Cool?88
型号:
FDMT800100DC
仓库库存编号:
FDMT800100DCCT-ND
别名:FDMT800100DCCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Tc) 3.8W(Ta), 250W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
FDB0260N1007L
仓库库存编号:
FDB0260N1007LCT-ND
别名:FDB0260N1007LCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 85A(Tc) 3.75W(Ta),250W(Tc)
型号:
SUP85N10-10-GE3
仓库库存编号:
SUP85N10-10-GE3CT-ND
别名:SUP85N10-10-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 2.4W(Ta),227W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB86135
仓库库存编号:
FDB86135CT-ND
别名:FDB86135CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
N-CHANNEL: LINEAR POWER MOSFETS
详细描述:表面贴装 N 沟道 64A(Tc) 357W(Tc) TO-263AA
型号:
IXTA64N10L2
仓库库存编号:
IXTA64N10L2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 110A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 600W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH110N10L2
仓库库存编号:
IXTH110N10L2-ND
别名:624231
Q5291125
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 9.3A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.3A(Tc) 36W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK9M156-100EX
仓库库存编号:
1727-2572-1-ND
别名:1727-2572-1
568-13016-1
568-13016-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 11.5A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.5A(Tc) 44W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK9M120-100EX
仓库库存编号:
1727-2570-1-ND
别名:1727-2570-1
568-13014-1
568-13014-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 94.9W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN038-100YLX
仓库库存编号:
1727-1815-1-ND
别名:1727-1815-1
568-11429-1
568-11429-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 14.8A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.8A(Tc) 59W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y104-100B,115
仓库库存编号:
1727-4612-1-ND
别名:1727-4612-1
568-5524-1
568-5524-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 45W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y113-100E,115
仓库库存编号:
1727-1854-1-ND
别名:1727-1854-1
568-11545-1
568-11545-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 29A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 29A(Tc) 79W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK9M34-100EX
仓库库存编号:
1727-2579-1-ND
别名:1727-2579-1
568-13023-1
568-13023-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 1A(Tc) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP322PH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP322PH6327XTSA1CT-ND
别名:BSP322PH6327XTSA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 95W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y38-100EX
仓库库存编号:
1727-1111-1-ND
别名:1727-1111-1
568-10266-1
568-10266-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Tc) 31W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD78CN10NGATMA1
仓库库存编号:
IPD78CN10NGATMA1CT-ND
别名:IPD78CN10NGATMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 27A(Tc) 58W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD33CN10NGATMA1
仓库库存编号:
IPD33CN10NGATMA1CT-ND
别名:IPD33CN10NGATMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 47A(Tc) 175W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB47N10S-33
仓库库存编号:
IPB47N10S33ATMA1CT-ND
别名:IPB47N10S-33CT
IPB47N10S-33CT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Tc) 3W(Ta),110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3410TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR3410TRLPBFCT-ND
别名:IRFR3410TRLPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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