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• Infineon Technologies
  MV POWER MOS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD180N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD180N10N3GATMA1TR-ND
  别名：IPD180N10N3GATMA1-ND
  IPD180N10N3GATMA1TR
  SP000900132
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MV POWER MOS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD180N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD180N10N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD180N10N3GATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MV POWER MOS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD180N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD180N10N3GATMA1DKR-ND
  别名：IPD180N10N3GATMA1DKR
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 130W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3411TRPBF
  仓库库存编号：IRFR3411TRPBFCT-ND
  别名：IRFR3411TRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 15A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），80A（Tc） 3.6W（Ta），104W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7191TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7191TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7191TRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 47A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Tc） 167W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK9230-100B,118
  仓库库存编号：1727-4708-1-ND
  别名：1727-4708-1
  568-5858-1
  568-5858-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 48A（Tc） 167W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK7227-100B,118
  仓库库存编号：1727-4697-1-ND
  别名：1727-4697-1
  568-5845-1
  568-5845-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 3.8W（Ta），70W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF530NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF530NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF530NSTRLPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 37A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Tc） 103W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN027-100BS,118
  仓库库存编号：1727-7210-1-ND
  别名：1727-7210-1
  568-9701-1
  568-9701-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 99W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK9675-100A,118
  仓库库存编号：1727-7199-1-ND
  别名：1727-7199-1
  568-9688-1
  568-9688-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.4A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7490TRPBF
  仓库库存编号：IRF7490TRPBFCT-ND
  别名：IRF7490TRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7853TRPBF
  仓库库存编号：IRF7853TRPBFCT-ND
  别名：IRF7853TRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85A（Tc） 238W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y12-100E,115
  仓库库存编号：1727-1121-1-ND
  别名：1727-1121-1
  568-10276-1
  568-10276-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 3.2A 26W Surface Mount PG-TDSON-8
  
  型号：BSC750N10ND G
  仓库库存编号：BSC750N10ND GCT-ND
  别名：BSC750N10ND GCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 2.1W（Ta），63W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ150N10LS3GATMA1
  仓库库存编号：BSZ150N10LS3GATMA1CT-ND
  别名：BSZ150N10LS3GATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 60A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC098N10NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC098N10NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC098N10NS5ATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 72A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 72A（Tc） 182W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK7613-100E,118
  仓库库存编号：1727-1087-1-ND
  别名：1727-1087-1
  568-10240-1
  568-10240-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRLR3410TRL
  仓库库存编号：AUIRLR3410TRLCT-ND
  别名：AUIRLR3410TRLCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL540NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRL540NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRL540NSTRLPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 13A（Tc） 66W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRFR5410TRL
  仓库库存编号：AUIRFR5410TRLCT-ND
  别名：AUIRFR5410TRLCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 15A（Tc） 128W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD15P10PGBTMA1
  仓库库存编号：SPD15P10PGBTMA1CT-ND
  别名：SPD15P10PGBTMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），71A（Tc） 114W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC118N10NSGATMA1
  仓库库存编号：BSC118N10NSGATMA1CT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 100W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB50N10S3L16ATMA1
  仓库库存编号：IPB50N10S3L16ATMA1CT-ND
  别名：IPB50N10S3L-16INCT
  IPB50N10S3L-16INCT-ND
  IPB50N10S3L16ATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB70N10S312ATMA1
  仓库库存编号：IPB70N10S312ATMA1CT-ND
  别名：IPB70N10S3-12INCT
  IPB70N10S3-12INCT-ND
  IPB70N10S312ATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 59A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3710ZSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF3710ZSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF3710ZSTRLPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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