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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 15A（Tc） 128W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD15P10PLGBTMA1
  仓库库存编号：SPD15P10PLGBTMA1CT-ND
  别名：SPD15P10PL GCT
  SPD15P10PL GCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD12CN10NGATMA1
  仓库库存编号：IPD12CN10NGATMA1CT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN015-100B,118
  仓库库存编号：1727-4771-1-ND
  别名：1727-4771-1
  568-5949-1
  568-5949-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.4A（Ta），90A（Tc） 156W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC100N10NSFGATMA1
  仓库库存编号：BSC100N10NSFGATMA1CT-ND
  别名：BSC100N10NSF GCT
  BSC100N10NSF GCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.4A（Ta），100A（Tc） 156W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC079N10NSGATMA1
  仓库库存编号：BSC079N10NSGATMA1CT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 97A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS4410ZTRLPBF
  仓库库存编号：IRFS4410ZTRLPBFCT-ND
  别名：IRFS4410ZTRLPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.4A（Ta），90A（Tc） 156W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC105N10LSFGATMA1
  仓库库存编号：BSC105N10LSFGATMA1CT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL2910STRLPBF
  仓库库存编号：IRL2910STRLPBFCT-ND
  别名：IRL2910STRLPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS4310ZTRLPBF
  仓库库存编号：IRFS4310ZTRLPBFCT-ND
  别名：IRFS4310ZTRLPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 100V 19A 8QFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta） 3.6W（Ta），160W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7185TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7185TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7185TRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS4310TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS4310TRLPBFCT-ND
  别名：IRFS4310TRLPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB027N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPB027N10N3GATMA1CT-ND
  别名：IPB027N10N3 GCT
  IPB027N10N3 GCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 35A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 115W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP30NF10
  仓库库存编号：497-7520-5-ND
  别名：497-7520-5
  STP30NF10-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 357W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK765R0-100E,118
  仓库库存编号：1727-7135-1-ND
  别名：1727-7135-1
  568-9567-1
  568-9567-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 100V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 150W（Tc） TO-220
  
  型号：STP100N10F7
  仓库库存编号：497-13550-5-ND
  别名：497-13550-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 230mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVP2110A
  仓库库存编号：ZVP2110A-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12.8A（Tc） 65W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP13N10
  仓库库存编号：FQP13N10-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12.8A（Tc） 65W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP13N10L
  仓库库存编号：FQP13N10L-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 8A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 8A（Tc） 65W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP8P10
  仓库库存编号：FQP8P10FS-ND
  别名：FQP8P10-ND
  FQP8P10FS
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 33A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 127W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP33N10
  仓库库存编号：FQP33N10-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 16.5A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 16.5A（Tc） 100W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP17P10
  仓库库存编号：FQP17P10-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 20A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 33.8W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF3860T
  仓库库存编号：FDPF3860T-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 7.7A TO220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 7.7A（Tc） 42W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI9530GPBF
  仓库库存编号：IRFI9530GPBF-ND
  别名：*IRFI9530GPBF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 32A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Ta），32A（Tc） 95W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP3682
  仓库库存编号：FDP3682-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 13.2A TO-220F
  详细描述：通孔 P 沟道 13.2A（Tc） 45W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF22P10
  仓库库存编号：FQPF22P10-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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