规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 4.6A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.6A（Tc） 8W（Tc） SOT-223
型号：
BUK98180-100A/CUX
仓库库存编号：
1727-2225-1-ND
别名：1727-2225-1
568-12493-1
568-12493-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 1.0A TSMT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Ta） 540mW（Ta） TSMT3
型号：
RSR010N10TL
仓库库存编号：
RSR010N10TLCT-ND
别名：RSR010N10TLCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 2.7A 3SSOT
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 1.5W（Ta） SuperSOT-3
型号：
FDN8601
仓库库存编号：
FDN8601CT-ND
别名：FDN8601CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 57W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N10S3L34ATMA1
仓库库存编号：
IPD30N10S3L34ATMA1CT-ND
别名：IPD30N10S3L-34CT
IPD30N10S3L-34CT-ND
IPD30N10S3L34ATMA1CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Ta） 2W（Ta） SOT-223
型号：
ZVN2110GTA
仓库库存编号：
ZVN2110GCT-ND
别名：ZVN2110G
ZVN2110GCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta） 15W（Tc） CPT3
型号：
RSD050N10TL
仓库库存编号：
RSD050N10TLCT-ND
别名：RSD050N10TLCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.6A 1.25W Surface Mount 8-SO
型号：
ZXMN10A08DN8TA
仓库库存编号：
ZXMN10A08DN8TACT-ND
别名：ZXMN10A08DN8TACT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），63W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ160N10NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSZ160N10NS3GATMA1CT-ND
别名：BSZ160N10NS3 GINCT
BSZ160N10NS3 GINCT-ND
BSZ160N10NS3GATMA1CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.8A（Tc） 2.5W（Ta），6W（Tc） 8-SO
型号：
SI4100DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4100DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4100DY-T1-E3CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.2W（Ta），96W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD19533Q5A
仓库库存编号：
296-37479-1-ND
别名：296-37479-1
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS890DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS890DN-T1-GE3CT-ND
别名：SIS890DN-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 19.7A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
型号：
SI4090DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4090DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4090DY-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ097N10NS5ATMA1
仓库库存编号：
BSZ097N10NS5ATMA1CT-ND
别名：BSZ097N10NS5ATMA1CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Ta） 125W（Tc） DPAK+
型号：
TK33S10N1Z,LQ
仓库库存编号：
TK33S10N1ZLQCT-ND
别名：TK33S10N1ZLQCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 46A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Tc） 157W（Tc） D2PAK
型号：
BUK9629-100B,118
仓库库存编号：
1727-4716-1-ND
别名：1727-4716-1
568-5866-1
568-5866-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 28A ATPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 28A（Ta） 70W（Tc） ATPAK
型号：
ATP301-TL-H
仓库库存编号：
869-1086-1-ND
别名：869-1086-1
ATP301TLH
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 50 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 3.2W（Ta），63W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD19534Q5AT
仓库库存编号：
296-37838-1-ND
别名：296-37838-1
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD068N10N3GATMA1
仓库库存编号：
IPD068N10N3GATMA1CT-ND
别名：IPD068N10N3GATMA1CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 100A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 118W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD19534KCS
仓库库存编号：
296-38676-5-ND
别名：296-38676-5
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），156W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC035N10NS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC035N10NS5ATMA1CT-ND
别名：BSC035N10NS5ATMA1CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD40N10-25-E3
仓库库存编号：
SUD40N10-25-E3CT-ND
别名：SUD40N10-25-E3CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 50A DPAK TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 125W（Tc） TO-252
型号：
SUD70090E-GE3
仓库库存编号：
SUD70090E-GE3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 96A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 188W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP085N10A_F102
仓库库存编号：
FDP085N10A_F102-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 100V 110A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 150W（Tc） TO-220
型号：
STP110N10F7
仓库库存编号：
497-13551-5-ND
别名：497-13551-5
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB4710PBF
仓库库存编号：
IRFB4710PBF-ND
别名：*IRFB4710PBF
SP001556118
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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