规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 4.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.6A(Tc) 8W(Tc) SOT-223
型号:
BUK98180-100A/CUX
仓库库存编号:
1727-2225-1-ND
别名:1727-2225-1
568-12493-1
568-12493-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 1.0A TSMT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 540mW(Ta) TSMT3
型号:
RSR010N10TL
仓库库存编号:
RSR010N10TLCT-ND
别名:RSR010N10TLCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 2.7A 3SSOT
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.7A(Ta) 1.5W(Ta) SuperSOT-3
型号:
FDN8601
仓库库存编号:
FDN8601CT-ND
别名:FDN8601CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 57W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N10S3L34ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N10S3L34ATMA1CT-ND
别名:IPD30N10S3L-34CT
IPD30N10S3L-34CT-ND
IPD30N10S3L34ATMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mA(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZVN2110GTA
仓库库存编号:
ZVN2110GCT-ND
别名:ZVN2110G
ZVN2110GCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 15W(Tc) CPT3
型号:
RSD050N10TL
仓库库存编号:
RSD050N10TLCT-ND
别名:RSD050N10TLCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.6A 1.25W Surface Mount 8-SO
型号:
ZXMN10A08DN8TA
仓库库存编号:
ZXMN10A08DN8TACT-ND
别名:ZXMN10A08DN8TACT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),63W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ160N10NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSZ160N10NS3GATMA1CT-ND
别名:BSZ160N10NS3 GINCT
BSZ160N10NS3 GINCT-ND
BSZ160N10NS3GATMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.8A(Tc) 2.5W(Ta),6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4100DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4100DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4100DY-T1-E3CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Ta) 3.2W(Ta),96W(Tc) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD19533Q5A
仓库库存编号:
296-37479-1-ND
别名:296-37479-1
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS890DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS890DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS890DN-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 19.7A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4090DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4090DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4090DY-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ097N10NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSZ097N10NS5ATMA1CT-ND
别名:BSZ097N10NS5ATMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Ta) 125W(Tc) DPAK+
型号:
TK33S10N1Z,LQ
仓库库存编号:
TK33S10N1ZLQCT-ND
别名:TK33S10N1ZLQCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 46A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 46A(Tc) 157W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9629-100B,118
仓库库存编号:
1727-4716-1-ND
别名:1727-4716-1
568-5866-1
568-5866-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 28A ATPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 28A(Ta) 70W(Tc) ATPAK
型号:
ATP301-TL-H
仓库库存编号:
869-1086-1-ND
别名:869-1086-1
ATP301TLH
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 50 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Ta) 3.2W(Ta),63W(Tc) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD19534Q5AT
仓库库存编号:
296-37838-1-ND
别名:296-37838-1
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD068N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD068N10N3GATMA1CT-ND
别名:IPD068N10N3GATMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 100A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Ta) 118W(Tc) TO-220-3
型号:
CSD19534KCS
仓库库存编号:
296-38676-5-ND
别名:296-38676-5
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 2.5W(Ta),156W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC035N10NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC035N10NS5ATMA1CT-ND
别名:BSC035N10NS5ATMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD40N10-25-E3
仓库库存编号:
SUD40N10-25-E3CT-ND
别名:SUD40N10-25-E3CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 50A DPAK TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 125W(Tc) TO-252
型号:
SUD70090E-GE3
仓库库存编号:
SUD70090E-GE3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 96A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 96A(Tc) 188W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP085N10A_F102
仓库库存编号:
FDP085N10A_F102-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 100V 110A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 150W(Tc) TO-220
型号:
STP110N10F7
仓库库存编号:
497-13551-5-ND
别名:497-13551-5
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4710PBF
仓库库存编号:
IRFB4710PBF-ND
别名:*IRFB4710PBF
SP001556118
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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