规格：漏源电压（Vdss） 100V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(2409)
分立半导体产品
(2409)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (82)
Microchip Technology (11)
Central Semiconductor Corp (2)
Diodes Incorporated (116)
EPC (27)
GeneSiC Semiconductor (1)
Infineon Technologies (596)
IXYS (172)
Microsemi Corporation (105)
Nexperia USA Inc. (152)
NXP USA Inc. (46)
Fairchild/ON Semiconductor (357)
ON Semiconductor (127)
Panasonic Electronic Components (3)
Renesas Electronics America (27)
Rohm Semiconductor (19)
Sanken (17)
STMicroelectronics (118)
Taiwan Semiconductor Corporation (24)
Texas Instruments (19)
Toshiba Semiconductor and Storage (30)
Vishay Semiconductor Diodes Division (4)
Vishay Siliconix (354)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 100V 16A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），60A（Tc） 2.7W（Ta），156W（Tc） Power56
型号：
FDMS86150
仓库库存编号：
FDMS86150CT-ND
别名：FDMS86150CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 3.75W（Ta），150W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM60N10-17-E3
仓库库存编号：
SUM60N10-17-E3CT-ND
别名：SUM60N10-17-E3CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 14.5A（Ta），60A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） Dual Cool?56
型号：
FDMS86101DC
仓库库存编号：
FDMS86101DCCT-ND
别名：FDMS86101DCCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF540PBF
仓库库存编号：
IRF540PBF-ND
别名：*IRF540PBF
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 18A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），140A（Tc） 2.1W（Ta），500W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB290L
仓库库存编号：
785-1329-1-ND
别名：785-1329-1
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL540PBF
仓库库存编号：
IRL540PBF-ND
别名：*IRL540PBF
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 3.75W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM110N10-09-E3
仓库库存编号：
SUM110N10-09-E3CT-ND
别名：SUM110N10-09-E3-ND
SUM110N10-09-E3CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 40A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
STP40NF10L
仓库库存编号：
497-6741-5-ND
别名：497-6741-5
STP40NF10L-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 306W（Tc） TO-220AB
型号：
PSMN5R6-100PS,127
仓库库存编号：
1727-4283-ND
别名：1727-4283
568-4972-5
568-4972-5-ND
934064274127
PSMN5R6100PS127
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
EPC
TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta） 模具剖面（11 焊条）
型号：
EPC2001C
仓库库存编号：
917-1079-1-ND
别名：917-1079-1
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
EPC
TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 模具
型号：
EPC8010
仓库库存编号：
917-1086-1-ND
别名：917-1086-1
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 315W（Tc） H2PAK
型号：
STH315N10F7-6
仓库库存编号：
497-14719-1-ND
别名：497-14719-1
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 333W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB035N10A
仓库库存编号：
FDB035N10ACT-ND
别名：FDB035N10ACT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
EPC
TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 模具剖面（11 焊条）
型号：
EPC2001
仓库库存编号：
917-1014-1-ND
别名：917-1014-1
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
EPC
TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 模具剖面（11 焊条）
型号：
EPC2001
仓库库存编号：
917-1014-6-ND
别名：917-1014-6
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
EPC
TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 48A（Ta） 模具
型号：
EPC2032
仓库库存编号：
917-1126-1-ND
别名：917-1126-1
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 200A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Ta） 375W（Tc） DDPAK/TO-263-3
型号：
CSD19536KTTT
仓库库存编号：
296-41136-1-ND
别名：296-41136-1
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 150A（Ta） 375W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD19536KCS
仓库库存编号：
296-37289-5-ND
别名：296-37289-5
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
库存产品核实请求
搜索
EPC
TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 模具
型号：
EPC2022
仓库库存编号：
917-1133-1-ND
别名：917-1133-1
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 180A（Tc） 315W（Tc） TO-220
型号：
STP315N10F7
仓库库存编号：
497-14717-5-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 100V 52A TO-3P
详细描述：通孔 P 沟道 52A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ52P10P
仓库库存编号：
IXTQ52P10P-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 200A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 200A（Tc） 550W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH200N10T
仓库库存编号：
IXTH200N10T-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 100V 90A TO-247
详细描述：通孔 P 沟道 90A（Tc） 462W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH90P10P
仓库库存编号：
IXTH90P10P-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 100V 1.7A TO39-3
详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Tj） 360mW（Tc） TO-39
型号：
VN2210N2
仓库库存编号：
VN2210N2-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 320A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 320A（Tc） 1000W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH320N10T2
仓库库存编号：
IXFH320N10T2-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
