规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 65A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 65A(Tc) 150W(Tc) TO-220-3
型号:
STP70N10F4
仓库库存编号:
497-8812-5-ND
别名:497-8812-5
STP70N10F4-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 52A(Tc) 110W(Tc) H2Pak-2
型号:
STH52N10LF3-2AG
仓库库存编号:
STH52N10LF3-2AG-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 70A (Tc) 187W Surface Mount PowerPAK? 8 x 8 Dual
型号:
SQJQ910EL-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJQ910EL-T1_GE3CT-ND
别名:SQJQ910EL-T1_GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 85W(Tc) DPAK
型号:
STD80N10F7
仓库库存编号:
497-14812-1-ND
别名:497-14812-1
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 95A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 95A(Tc) 104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR668DP-T1-RE3
仓库库存编号:
SIR668DP-T1-RE3CT-ND
别名:SIR668DP-T1-RE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 80A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 125W(Tc) DPAK
型号:
STD100N10LF7AG
仓库库存编号:
STD100N10LF7AG-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
STB100N10F7
仓库库存编号:
497-14527-1-ND
别名:497-14527-1
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 110A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 250W(Tc) I2PAK(TO-262)
型号:
STI150N10F7
仓库库存编号:
497-15015-5-ND
别名:497-15015-5
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 150W(Tc) H2PAK
型号:
STH110N10F7-6
仓库库存编号:
497-13837-1-ND
别名:497-13837-1
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V POWERFLAT5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 5W(Ta),100W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL90N10F7
仓库库存编号:
497-13969-1-ND
别名:497-13969-1
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 120A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) TO-220
型号:
STP185N10F3
仓库库存编号:
STP185N10F3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 100V 108A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 108A(Tc) 2.4W(Ta), 166W(Tc) TO-220AB
型号:
DMTH10H010LCT
仓库库存编号:
DMTH10H010LCTDI-5-ND
别名:DMTH10H010LCTDI-5
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 151A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 151A (Tc) 138W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS86180
仓库库存编号:
FDMS86180CT-ND
别名:FDMS86180CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 50A D2PK TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 125W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM70090E-GE3
仓库库存编号:
SUM70090E-GE3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:通孔 N 沟道 81A(Tc) 210W(Tc) TO-220
型号:
TSM85N10CZ C0G
仓库库存编号:
TSM85N10CZ C0G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:通孔 P 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP70101EL-GE3
仓库库存编号:
SUP70101EL-GE3CT-ND
别名:SUP70101EL-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM70040E-GE3
仓库库存编号:
SUM70040E-GE3CT-ND
别名:SUM70040E-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) H2PAK
型号:
STH130N10F3-2
仓库库存编号:
497-13091-1-ND
别名:497-13091-1
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) TO-247
型号:
STW240N10F7
仓库库存编号:
STW240N10F7-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V TO-263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Ta) 250W(Tc) DDPAK/TO-263-3
型号:
CSD19532KTTT
仓库库存编号:
296-43211-1-ND
别名:296-43211-1
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) H2Pak-2
型号:
STH240N10F7-2
仓库库存编号:
497-15143-1-ND
别名:497-15143-1
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:通孔 N 沟道 160A(Tc) 300W(Tc) TO-220
型号:
TSM160N10CZ C0G
仓库库存编号:
TSM160N10CZ C0G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:表面贴装 P 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM70101EL-GE3
仓库库存编号:
SUM70101EL-GE3CT-ND
别名:SUM70101EL-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 120A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 315W(Tc) TO-220
型号:
STP180N10F3
仓库库存编号:
497-11228-5-ND
别名:497-11228-5
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP70040E-GE3
仓库库存编号:
SUP70040E-GE3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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