规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.8A(Ta),16.5A(Tc) 2.5W(Ta),31W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS8622
仓库库存编号:
FDMS8622CT-ND
别名:FDMS8622CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 100V 8.5A 56LFPAK
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 8.5A 32W Surface Mount LFPAK56D
型号:
BUK9K134-100EX
仓库库存编号:
1727-1898-1-ND
别名:1727-1898-1
568-11631-1
568-11631-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9110TRPBF
仓库库存编号:
IRFR9110PBFCT-ND
别名:*IRFR9110TRPBF
IRFR9110PBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta),35A(Tc) 3.1W(Ta),54W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FDD86102LZ
仓库库存编号:
FDD86102LZFSCT-ND
别名:FDD86102LZFSCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3410TRPBF
仓库库存编号:
IRLR3410PBFCT-ND
别名:*IRLR3410TRPBF
IRLR3410PBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 49W(Tc) TO-252AA
型号:
HUF76609D3ST
仓库库存编号:
HUF76609D3STFSCT-ND
别名:HUF76609D3STFSCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 11.5A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.5A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
AO4294
仓库库存编号:
785-1732-1-ND
别名:785-1732-1
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.6A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9120TRPBF
仓库库存编号:
IRFR9120PBFCT-ND
别名:*IRFR9120TRPBF
IRFR9120PBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.8A(Ta),42A(Tc) 60W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC160N10NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC160N10NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC160N10NS3 GINCT
BSC160N10NS3 GINCT-ND
BSC160N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 600mA(Ta) 1.1W(Ta) SOT-223
型号:
ZVNL110GTA
仓库库存编号:
ZVNL110GCT-ND
别名:ZVNL110G
ZVNL110GCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS3692
仓库库存编号:
FDS3692CT-ND
别名:FDS3692CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.5A(Ta),45A(Tc) 78W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC196N10NSGATMA1
仓库库存编号:
BSC196N10NSGATMA1CT-ND
别名:BSC196N10NS GCT
BSC196N10NS GCT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 13A(Tc) 66W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR5410TRPBF
仓库库存编号:
IRFR5410PBFCT-ND
别名:*IRFR5410TRPBF
IRFR5410PBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 100V 0.31A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 310mA(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZVP2110GTA
仓库库存编号:
ZVP2110GCT-ND
别名:ZVP2110G
ZVP2110GCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.7A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120TRPBF
仓库库存编号:
IRFR120TRPBFCT-ND
别名:IRFR120TRPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V TRENCH SSOT-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.7A(Ta) 1.6W(Ta) 6-SSOT
型号:
FDC8601
仓库库存编号:
FDC8601CT-ND
别名:FDC8601CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Ta) 2.2W(Ta) SOT-223-4
型号:
FDT86106LZ
仓库库存编号:
FDT86106LZCT-ND
别名:FDT86106LZCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A
详细描述:表面贴装 N 沟道 59A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD122N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD122N10N3GATMA1CT-ND
别名:IPD122N10N3GATMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.7A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR120TRPBF
仓库库存编号:
IRLR120TRPBFCT-ND
别名:*IRLR120TRPBF
IRLR120PBFCT
IRLR120PBFCT-ND
IRLR120TRPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12
详细描述:Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V 2.9A, 2.3A 2.1W Surface Mount V-DFN5045-12
型号:
DMHC10H170SFJ-13
仓库库存编号:
DMHC10H170SFJ-13DICT-ND
别名:DMHC10H170SFJ-13DICT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 54W(Tc) D2PAK
型号:
BUK96180-100A,118
仓库库存编号:
1727-7191-1-ND
别名:1727-7191-1
568-9680-1
568-9680-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 63A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 63A(Tc) 78W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC109N10NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC109N10NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC109N10NS3 GCT
BSC109N10NS3 GCT-ND
BSC109N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mA(Ta) 模具
型号:
EPC2038
仓库库存编号:
917-1138-1-ND
别名:917-1138-1
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V 550MOHM BUMPED DI
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Ta)
型号:
EPC2037
仓库库存编号:
917-1137-1-ND
别名:917-1137-1
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
EPC
TRANS GAN 100V BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 模具
型号:
EPC2037ENGR
仓库库存编号:
917-EPC2037ENGRCT-ND
别名:917-EPC2037ENGRCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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