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• EPC
  TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 1.7A Surface Mount Die
  
  型号：EPC2106ENGRT
  仓库库存编号：917-EPC2106ENGRCT-ND
  别名：917-EPC2106ENGRCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 4.5A 2.5W Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS3992
  仓库库存编号：FDS3992CT-ND
  别名：FDS3992CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Ta），46A（Tc） 3.1W（Ta），8.3W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
  
  型号：IRFH5053TRPBF
  仓库库存编号：IRFH5053TRPBFCT-ND
  别名：IRFH5053TRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.8A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
  
  型号：SI7922DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7922DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7922DN-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9510STRLPBF
  仓库库存编号：IRF9510STRLPBFCT-ND
  别名：IRF9510STRLPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 3.75W（Ta），127W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB33N10LTM
  仓库库存编号：FQB33N10LTMCT-ND
  别名：FQB33N10LTMCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 23A（Tc） 3.1W（Ta），110W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9540NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF9540NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF9540NSTRLPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP
  详细描述：通孔 P 沟道 700mA（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD9110PBF
  仓库库存编号：IRFD9110PBF-ND
  别名：*IRFD9110PBF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 2.8W（Ta）, 83W（Tc） 8-VSON（3.3x3.3）
  
  型号：CSD19537Q3T
  仓库库存编号：296-42632-1-ND
  别名：296-42632-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4.3A（Tc） 25W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU110PBF
  仓库库存编号：IRFU110PBF-ND
  别名：*IRFU110PBF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRLD110PBF
  仓库库存编号：IRLD110PBF-ND
  别名：*IRLD110PBF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 4A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 4A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9510PBF
  仓库库存编号：IRF9510PBF-ND
  别名：*IRF9510PBF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 6.8A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9520PBF
  仓库库存编号：IRF9520PBF-ND
  别名：*IRF9520PBF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
  详细描述：通孔 P 沟道 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD9120PBF
  仓库库存编号：IRFD9120PBF-ND
  别名：*IRFD9120PBF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 17A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 79W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRLU3410PBF
  仓库库存编号：IRLU3410PBF-ND
  别名：*IRLU3410PBF
  64-4160PBF
  64-4160PBF-ND
  SP001574164
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 5.6A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF510PBF
  仓库库存编号：IRF510PBF-ND
  别名：*IRF510PBF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 1.3A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD120PBF
  仓库库存编号：IRFD120PBF-ND
  别名：*IRFD120PBF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 500mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TN0610N3-G
  仓库库存编号：TN0610N3-G-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 22A（Tc） 3.75W（Ta），125W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB22P10TM
  仓库库存编号：FQB22P10TMCT-ND
  别名：FQB22P10TMCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 12A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：RFP12N10L
  仓库库存编号：RFP12N10L-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 130W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF540NPBF
  仓库库存编号：IRF540NPBF-ND
  别名：*IRF540NPBF
  64-0092PBF
  64-0092PBF-ND
  SP001561906
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14.9A（Ta），90A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC060N10NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC060N10NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC060N10NS3 GCT
  BSC060N10NS3 GCT-ND
  BSC060N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC040N10NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC040N10NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC040N10NS5ATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 8.1A（Tc） 30W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRLI520NPBF
  仓库库存编号：IRLI520NPBF-ND
  别名：*IRLI520NPBF
  SP001576820
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 8.3W（Ta），83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD35N10-26P-GE3
  仓库库存编号：SUD35N10-26P-GE3CT-ND
  别名：SUD35N10-26P-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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