规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2P-CH 30V 7.1A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 7.1A 2W Surface Mount 8-SOIC
型号：
AO4813
仓库库存编号：
785-1058-1-ND
别名：785-1058-1
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 3.4W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS414DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS414DN-T1-GE3CT-ND
别名：SIS414DN-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 75A U8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），75A（Tc） 820mW（Ta）, 33W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NTTFS4C05NTAG
仓库库存编号：
NTTFS4C05NTAGOSCT-ND
别名：NTTFS4C05NTAGOSCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 17A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），57A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC052N03LS
仓库库存编号：
BSC052N03LSCT-ND
别名：BSC052N03LSCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 4.8W（Ta），57W（Tc） PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）
型号：
SISS27DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SISS27DN-T1-GE3CT-ND
别名：SISS27DN-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.8A 830mW Surface Mount 6-TSOP
型号：
SI3993DV-T1-E3
仓库库存编号：
SI3993DV-T1-E3CT-ND
别名：SI3993DV-T1-E3CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 81W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN3R0-30YL,115
仓库库存编号：
1727-4165-1-ND
别名：1727-4165-1
568-4681-1
568-4681-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 4A SOP8
详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 650mW（Ta） 8-SOP
型号：
RRH040P03TB1
仓库库存编号：
RRH040P03TB1CT-ND
别名：RRH040P03TB1CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.6A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
型号：
IRLL3303TRPBF
仓库库存编号：
IRLL3303PBFCT-ND
别名：*IRLL3303TRPBF
IRLL3303PBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.5A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7313TRPBF
仓库库存编号：
IRF7313PBFCT-ND
别名：*IRF7313TRPBF
IRF7313PBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS6670A
仓库库存编号：
FDS6670ACT-ND
别名：FDS6670ACT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 56A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），56A（Tc） 2.7W（Ta） 8-VSON（3.3x3.3）
型号：
CSD17304Q3
仓库库存编号：
296-27509-1-ND
别名：296-27509-1
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 141W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN2R2-30YLC,115
仓库库存编号：
1727-5298-1-ND
别名：1727-5298-1
568-6728-1
568-6728-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.9A 900mW Surface Mount 8-SO
型号：
FDS9953A
仓库库存编号：
FDS9953ACT-ND
别名：FDS9953ACT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 1.75W（Ta），74W（Tc） DPAK
型号：
NTD20N03L27T4G
仓库库存编号：
NTD20N03L27T4GOSCT-ND
别名：NTD20N03L27T4GOS
NTD20N03L27T4GOS-ND
NTD20N03L27T4GOSCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7416TRPBF
仓库库存编号：
IRF7416TRPBFCT-ND
别名：IRF7416TRPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
型号：
DMP3015LSS-13
仓库库存编号：
DMP3015LSSDICT-ND
别名：DMP3015LSSDICT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF8734TRPBF
仓库库存编号：
IRF8734TRPBFCT-ND
别名：IRF8734TRPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 4.5W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA12DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIRA12DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIRA12DP-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 13.5A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ086P03NS3E G
仓库库存编号：
BSZ086P03NS3E GCT-ND
别名：BSZ086P03NS3E GCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 13.5A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ086P03NS3 G
仓库库存编号：
BSZ086P03NS3 GCT-ND
别名：BSZ086P03NS3 GCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4435DYTRPBF
仓库库存编号：
SI4435DYPBFCT-ND
别名：*SI4435DYTRPBF
SI4435DYPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 3W（Ta） 8-SO
型号：
FDS6294
仓库库存编号：
FDS6294CT-ND
别名：FDS6294CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 15A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），60A（Tc） 2.6W（Ta） 8-SON（3.3x3.3）
型号：
CSD17552Q3A
仓库库存编号：
296-34990-1-ND
别名：296-34990-1
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 26W Surface Mount PG-TDSON-8
型号：
BSC150N03LD G
仓库库存编号：
BSC150N03LD GCT-ND
别名：BSC150N03LD GCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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