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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 20A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），42A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS8670S
  仓库库存编号：FDMS8670SCT-ND
  别名：FDMS8670SCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 8A, 5.4A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：STS8C5H30L
  仓库库存编号：497-4398-1-ND
  别名：497-4398-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 7.4A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.4A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7423DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7423DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7423DN-T1-E3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 21A（Ta），40A（Tc） 3.1W（Ta） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH9310TRPBF
  仓库库存编号：IRFH9310TRPBFCT-ND
  别名：IRFH9310TRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6415DQ-T1-E3
  仓库库存编号：SI6415DQ-T1-E3CT-ND
  别名：SI6415DQ-T1-E3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC016N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSC016N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSC016N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
  BSC016N03MSGINCT
  BSC016N03MSGINCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 无铅
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 28A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD17301Q5A
  仓库库存编号：296-25795-1-ND
  别名：296-25795-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 63A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 63A（Tc） 7.5W（Ta），65.2W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50N03-09P-E3
  仓库库存编号：SUD50N03-09P-E3CT-ND
  别名：SUD50N03-09P-E3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 14A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），35A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS8680
  仓库库存编号：FDMS8680CT-ND
  别名：FDMS8680CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 90A（Tc） 137W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD90P03P4L04ATMA1
  仓库库存编号：IPD90P03P4L04ATMA1CT-ND
  别名：IPD90P03P4L-04INCT
  IPD90P03P4L-04INCT-ND
  IPD90P03P4L04ATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12.6A（Ta） 1.79W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO301SP H
  仓库库存编号：BSO301SP HCT-ND
  别名：BSO301SP HCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 41W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN022-30PL,127
  仓库库存编号：1727-5893-ND
  别名：1727-5893
  568-7512-5
  568-7512-5-ND
  934063985127
  PSMN022-30PL,127-ND
  PSMN02230PL127
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 5.8A, 8.2A 1W, 1.25W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4816BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4816BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4816BDY-T1-E3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 50A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-5
  
  型号：SPD50P03L G
  仓库库存编号：SPD50P03LGINCT-ND
  别名：SPD50P03LGINCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.9A, 4.1A 1.25W Surface Mount 8-SO
  
  型号：ZXMC3A16DN8TA
  仓库库存编号：ZXMC3A16DN8CT-ND
  别名：ZXMC3A16DN8CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
  详细描述：Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 30V 2.7A, 2A 1.3W Surface Mount SM8
  
  型号：ZXMHC3A01T8TA
  仓库库存编号：ZXMHC3A01T8CT-ND
  别名：ZXMHC3A01T8CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 62A（Tc） 65W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRLB8721PBF
  仓库库存编号：IRLB8721PBF-ND
  别名：SP001558140
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
  
  型号：CSD17312Q5
  仓库库存编号：296-27613-1-ND
  别名：296-27613-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA00DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA00DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRA00DP-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 12A/22A POWER56
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 12A, 22A 1W Surface Mount Power56
  
  型号：FDMS7600AS
  仓库库存编号：FDMS7600ASCT-ND
  别名：FDMS7600ASCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 640mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN0300L-G
  仓库库存编号：VN0300L-G-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 103W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN4R3-30PL,127
  仓库库存编号：1727-4266-ND
  别名：1727-4266
  568-4897-5
  568-4897-5-ND
  934063918127
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 78A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRLB8743PBF
  仓库库存编号：IRLB8743PBF-ND
  别名：SP001572884
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET MT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Ta），192A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MT
  
  型号：IRF8301MTRPBF
  仓库库存编号：IRF8301MTRPBFCT-ND
  别名：IRF8301MTRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB009N03L G
  仓库库存编号：IPB009N03L GCT-ND
  别名：IPB009N03L GCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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