规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT-23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.6A(Ta) 1.3W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML9301TRPBF
仓库库存编号:
IRLML9301TRPBFCT-ND
别名:IRLML9301TRPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.2A(Ta) 540mW(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML2803GTRPBF
仓库库存编号:
IRLML2803GTRPBFCT-ND
别名:IRLML2803GTRPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 1.42W(Ta) 8-SOP
型号:
DMG4496SSS-13
仓库库存编号:
DMG4496SSS-13DICT-ND
别名:DMG4496SSS-13DICT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 200MA SOT416
详细描述:表面贴装 P 沟道 200mA(Ta) 150mW(Ta) EMT3
型号:
RSE002P03TL
仓库库存编号:
RSE002P03TLCT-ND
别名:RSE002P03TLCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 3.5A TUMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Ta) 320mW(Ta) TUMT6
型号:
RRL035P03TR
仓库库存编号:
RRL035P03CT-ND
别名:RRL035P03CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta) 2W(Ta) HUML2020L8
型号:
RF4E080GNTR
仓库库存编号:
RF4E080GNTRCT-ND
别名:RF4E080GNTRCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 200mA 150mW Surface Mount UMT6
型号:
UM6J1NTN
仓库库存编号:
UM6J1NTNCT-ND
别名:UM6J1NTNCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA418DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA418DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA418DJ-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 1W Surface Mount 6-μDFN(2x2)
型号:
SSM6N57NU,LF
仓库库存编号:
SSM6N57NULFCT-ND
别名:SSM6N57NU,LFCT-ND
SSM6N57NULF(TCT
SSM6N57NULF(TCT-ND
SSM6N57NULFCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-SO
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.8A(Ta) 1.2W(Ta) 8-SO
型号:
DMP3037LSS-13
仓库库存编号:
DMP3037LSS-13DICT-ND
别名:DMP3037LSS-13DICT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mW(Ta) 4-Microfoot
型号:
SI8816EDB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8816EDB-T2-E1CT-ND
别名:SI8816EDB-T2-E1CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 2W(Ta),16W(Tc) 8-HSMT(3.2x3)
型号:
RQ3E120GNTB
仓库库存编号:
RQ3E120GNTBCT-ND
别名:RQ3E120GNTBCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 1.25W(Ta) TSMT6(SC-95)
型号:
RTQ020N03TR
仓库库存编号:
RTQ020N03CT-ND
别名:RTQ020N03CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 14A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta),28A(Tc) 2.5W(Ta),27W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS7692
仓库库存编号:
FDMS7692CT-ND
别名:FDMS7692CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 6.8A U-DFN2020-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.8A(Ta) 660mW(Ta) U-DFN2020-6(E 类)
型号:
DMP3028LFDE-7
仓库库存编号:
DMP3028LFDE-7DICT-ND
别名:DMP3028LFDE-7DICT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-SSOT
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Ta),8A(Tc) 1.6W(Ta) 6-SSOT
型号:
FDC8884
仓库库存编号:
FDC8884CT-ND
别名:FDC8884CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N CH 30V 7.5A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.5A(Ta) 2W(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMN3025LFG-7
仓库库存编号:
DMN3025LFG-7CT-ND
别名:DMN3025LFG-7CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 1.25W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML5203GTRPBF
仓库库存编号:
IRLML5203GTRPBFCT-ND
别名:IRLML5203GTRPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Tj) 710mW(Ta) 6-WDFN(2x2)
型号:
NTLJF4156NT1G
仓库库存编号:
NTLJF4156NT1GOSCT-ND
别名:NTLJF4156NT1GOSCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8DFN
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V 5A, 6A 2.1W, 2.5W Surface Mount 8-DFN (2.9x2.3)
型号:
AON3611
仓库库存编号:
785-1570-1-ND
别名:785-1570-1
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F
详细描述:表面贴装 N 沟道 236mW(Ta) SC-89-6
型号:
SI1070X-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1070X-T1-GE3CT-ND
别名:SI1070X-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 2.5W(Ta),13W(Tc) PowerPAK? SC-75-6L 单
型号:
SIB410DK-T1-GE3
仓库库存编号:
SIB410DK-T1-GE3CT-ND
别名:SIB410DK-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.4A(Ta) 1.7W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRLMS5703TRPBF
仓库库存编号:
IRLMS5703PBFCT-ND
别名:*IRLMS5703TRPBF
IRLMS5703PBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.3A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
DMN3016LSS-13
仓库库存编号:
DMN3016LSS-13DICT-ND
别名:DMN3016LSS-13DICT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.3A(Ta) 2W(Ta) 6-TSOP
型号:
IRLTS6342TRPBF
仓库库存编号:
IRLTS6342TRPBFCT-ND
别名:IRLTS6342TRPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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