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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Ta） 1.7W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
  
  型号：IRLMS1503TRPBF
  仓库库存编号：IRLMS1503PBFCT-ND
  别名：*IRLMS1503TRPBF
  IRLMS1503PBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8.8A SGL DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.8A（Ta），41A（Tc） 1.37W（Ta），29.4W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4909NT4G
  仓库库存编号：NTD4909NT4GOSCT-ND
  别名：NTD4909NT4GOSCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 3.5A TUMT6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Ta） 1W（Ta） TUMT6
  
  型号：RTL035N03TR
  仓库库存编号：RTL035N03CT-ND
  别名：RTL035N03CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 无铅
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5A（Ta） 1W（Ta） TSMT3
  
  型号：RSR015P03TL
  仓库库存编号：RSR015P03TLCT-ND
  别名：RSR015P03TLCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 7.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.1A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
  
  型号：DMP3056LSS-13
  仓库库存编号：DMP3056LSS-13DICT-ND
  别名：DMP3056LSS-13DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.4A（Ta） 1.6W（Ta） TO-252
  
  型号：DMN3016LK3-13
  仓库库存编号：DMN3016LK3-13DICT-ND
  别名：DMN3016LK3-13DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 11A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），30A（Tc） 900mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMN3010LFG-7
  仓库库存编号：DMN3010LFG-7DICT-ND
  别名：DMN3010LFG-7DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 86A（Tc） 75W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR8726TRPBF
  仓库库存编号：IRLR8726TRPBFCT-ND
  别名：IRLR8726TRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT5
  
  型号：QS5U13TR
  仓库库存编号：QS5U13CT-ND
  别名：QS5U13CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF8707TRPBF
  仓库库存编号：IRF8707TRPBFCT-ND
  别名：IRF8707TRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），44A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC100N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSC100N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSC100N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
  BSC100N03MSGINCT
  BSC100N03MSGINCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.6A（Ta），58A（Tc） 1.4W（Ta），52W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4809NT4G
  仓库库存编号：NTD4809NT4GOSCT-ND
  别名：NTD4809NT4GOSCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），58A（Tc） 55W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD8880
  仓库库存编号：FDD8880CT-ND
  别名：FDD8880CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Ta） 800mW（Ta） TUMT3
  
  型号：RTF025N03TL
  仓库库存编号：RTF025N03TLCT-ND
  别名：RTF025N03TLCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 58A（Tc） 55W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR8729TRPBF
  仓库库存编号：IRLR8729TRPBFCT-ND
  别名：IRLR8729TRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD090N03LGATMA1
  仓库库存编号：IPD090N03LGATMA1CT-ND
  别名：IPD090N03LGATMA1CT
  IPD090N03LGINCT
  IPD090N03LGINCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Tc） 1.5W（Ta），2.78W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1471DH-T1-E3
  仓库库存编号：SI1471DH-T1-E3CT-ND
  别名：SI1471DH-T1-E3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDFS2P753Z
  仓库库存编号：FDFS2P753ZCT-ND
  别名：FDFS2P753ZCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 3A SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 500mW（Ta） MPT3
  
  型号：RHP030N03T100
  仓库库存编号：RHP030N03T100CT-ND
  别名：RHP030N03T100CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 6.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.8A（Ta） 780mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NTMS4816NR2G
  仓库库存编号：NTMS4816NR2GOSCT-ND
  别名：NTMS4816NR2GOSCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Tc） 1.5W（Ta），2.78W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1471DH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1471DH-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1471DH-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），53A（Tc） 2.5W（Ta），35W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC080N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC080N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC080N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
  BSC080N03LSGINCT
  BSC080N03LSGINCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 11A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 11A 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：AO4838
  仓库库存编号：785-1688-1-ND
  别名：785-1688-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF8714TRPBF
  仓库库存编号：IRF8714TRPBFCT-ND
  别名：IRF8714TRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 5.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.9A（Ta） 1.31W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4346DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4346DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4346DY-T1-E3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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