规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A SOP8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 2W Surface Mount 8-SOP
型号:
SH8K5TB1
仓库库存编号:
SH8K5TB1CT-ND
别名:SH8K5TB1CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 86A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3709ZTRPBF
仓库库存编号:
IRFR3709ZPBFCT-ND
别名:*IRFR3709ZTRPBF
IRFR3709ZPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),93A(Tc) 2.5W(Ta),57W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC042N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC042N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC042N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC042N03LSGINCT
BSC042N03LSGINCT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),48W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ0902NS
仓库库存编号:
BSZ0902NSCT-ND
别名:BSZ0902NSCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta) 3W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4430
仓库库存编号:
785-1028-1-ND
别名:785-1028-1
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.5A SOP8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSH065N03TB1
仓库库存编号:
RSH065N03TB1CT-ND
别名:RSH065N03TB1CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 73A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),73A(Tc) 70W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD8876
仓库库存编号:
FDD8876CT-ND
别名:FDD8876CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 40W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7807ZTRPBF
仓库库存编号:
IRLR7807ZPBFCT-ND
别名:*IRLR7807ZTRPBF
IRLR7807ZPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.5A(Ta),30A(Tc) 2.8W(Ta),36W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD6612A
仓库库存编号:
FDD6612ACT-ND
别名:FDD6612ACT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR2703TRPBF
仓库库存编号:
IRLR2703TRPBFCT-ND
别名:*IRLR2703TRPBF
IRLR2703PBFCT
IRLR2703PBFCT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC030N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC030N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC030N03LS GCT
BSC030N03LS GCT-ND
BSC030N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7319TRPBF
仓库库存编号:
IRF7319PBFCT-ND
别名:*IRF7319TRPBF
IRF7319PBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90N03S4L03ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N03S4L03ATMA1CT-ND
别名:IPD90N03S4L-03INCT
IPD90N03S4L-03INCT-ND
IPD90N03S4L03ATMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD040N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD040N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD040N03LGINCT
IPD040N03LGINCT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 63A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 1.6W(Ta),36W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPH4R003NL,L1Q
仓库库存编号:
TPH4R003NLL1QCT-ND
别名:TPH4R003NLL1QCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 49A DFN5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 49A(Ta),85A(Tc) 7.4W(Ta),83W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6502
仓库库存编号:
785-1576-1-ND
别名:785-1576-1
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3707ZTRPBF
仓库库存编号:
IRFR3707ZTRPBFCT-ND
别名:*IRFR3707ZTRPBF
IRFR3707ZPBFCT
IRFR3707ZPBFCT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC030N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC030N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC030N03MSG+F30INCT
BSC030N03MSG+F30INCT-ND
BSC030N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC030N03MSGINCT
BSC030N03MSGINCT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3303TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3303PBFCT-ND
别名:*IRFR3303TRPBF
IRFR3303PBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6690AS
仓库库存编号:
FDS6690ASCT-ND
别名:FDS6690ASCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4A 550mW Surface Mount TSMT8
型号:
QS8J4TR
仓库库存编号:
QS8J4CT-ND
别名:QS8J4CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ035N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSZ035N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSZ035N03LSGATMA1CT
BSZ035N03LSGINCT
BSZ035N03LSGINCT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS456DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS456DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS456DN-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7406TRPBF
仓库库存编号:
IRF7406PBFCT-ND
别名:*IRF7406TRPBF
IRF7406PBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 17.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF8113TRPBF
仓库库存编号:
IRF8113PBFCT-ND
别名:*IRF8113TRPBF
IRF8113PBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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