规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A SOP8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 2W Surface Mount 8-SOP
型号：
SH8K5TB1
仓库库存编号：
SH8K5TB1CT-ND
别名：SH8K5TB1CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 86A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3709ZTRPBF
仓库库存编号：
IRFR3709ZPBFCT-ND
别名：*IRFR3709ZTRPBF
IRFR3709ZPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），93A（Tc） 2.5W（Ta），57W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC042N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC042N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC042N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC042N03LSGINCT
BSC042N03LSGINCT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），48W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ0902NS
仓库库存编号：
BSZ0902NSCT-ND
别名：BSZ0902NSCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 3W（Ta） 8-SOIC
型号：
AO4430
仓库库存编号：
785-1028-1-ND
别名：785-1028-1
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.5A SOP8
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
型号：
RSH065N03TB1
仓库库存编号：
RSH065N03TB1CT-ND
别名：RSH065N03TB1CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 73A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），73A（Tc） 70W（Tc） TO-252AA
型号：
FDD8876
仓库库存编号：
FDD8876CT-ND
别名：FDD8876CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR7807ZTRPBF
仓库库存编号：
IRLR7807ZPBFCT-ND
别名：*IRLR7807ZTRPBF
IRLR7807ZPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.5A（Ta），30A（Tc） 2.8W（Ta），36W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD6612A
仓库库存编号：
FDD6612ACT-ND
别名：FDD6612ACT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR2703TRPBF
仓库库存编号：
IRLR2703TRPBFCT-ND
别名：*IRLR2703TRPBF
IRLR2703PBFCT
IRLR2703PBFCT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC030N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC030N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC030N03LS GCT
BSC030N03LS GCT-ND
BSC030N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7319TRPBF
仓库库存编号：
IRF7319PBFCT-ND
别名：*IRF7319TRPBF
IRF7319PBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90N03S4L03ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N03S4L03ATMA1CT-ND
别名：IPD90N03S4L-03INCT
IPD90N03S4L-03INCT-ND
IPD90N03S4L03ATMA1CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD040N03LGATMA1
仓库库存编号：
IPD040N03LGATMA1CT-ND
别名：IPD040N03LGINCT
IPD040N03LGINCT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 63A 8SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 1.6W（Ta），36W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH4R003NL,L1Q
仓库库存编号：
TPH4R003NLL1QCT-ND
别名：TPH4R003NLL1QCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 49A DFN5X6
详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Ta），85A（Tc） 7.4W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6502
仓库库存编号：
785-1576-1-ND
别名：785-1576-1
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3707ZTRPBF
仓库库存编号：
IRFR3707ZTRPBFCT-ND
别名：*IRFR3707ZTRPBF
IRFR3707ZPBFCT
IRFR3707ZPBFCT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC030N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC030N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC030N03MSG+F30INCT
BSC030N03MSG+F30INCT-ND
BSC030N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC030N03MSGINCT
BSC030N03MSGINCT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3303TRPBF
仓库库存编号：
IRFR3303PBFCT-ND
别名：*IRFR3303TRPBF
IRFR3303PBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS6690AS
仓库库存编号：
FDS6690ASCT-ND
别名：FDS6690ASCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4A 550mW Surface Mount TSMT8
型号：
QS8J4TR
仓库库存编号：
QS8J4CT-ND
别名：QS8J4CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ035N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSZ035N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSZ035N03LSGATMA1CT
BSZ035N03LSGINCT
BSZ035N03LSGINCT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS456DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS456DN-T1-GE3CT-ND
别名：SIS456DN-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7406TRPBF
仓库库存编号：
IRF7406PBFCT-ND
别名：*IRF7406TRPBF
IRF7406PBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 17.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF8113TRPBF
仓库库存编号：
IRF8113PBFCT-ND
别名：*IRF8113TRPBF
IRF8113PBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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