规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 24A 23W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号：
SI7218DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7218DN-T1-E3CT-ND
别名：SI7218DN-T1-E3CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 1.47W（Ta） 8-SO
型号：
SI4384DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4384DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4384DY-T1-E3CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A, 5A 1.5W Surface Mount TSMT8
型号：
QS8M13TCR
仓库库存编号：
QS8M13TCRCT-ND
别名：QS8M13TCRCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.6W（Ta），39W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SISA10DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SISA10DN-T1-GE3CT-ND
别名：SISA10DN-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 14.5A POWERDI
详细描述：表面贴装 P 沟道 14.5A（Ta） 2.18W（Ta） PowerDI5060-8
型号：
DMP3010LPS-13
仓库库存编号：
DMP3010LPS-13DICT-ND
别名：DMP3010LPS-13DICT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 70A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD068P03L3GATMA1
仓库库存编号：
IPD068P03L3GATMA1CT-ND
别名：IPD068P03L3GATMA1CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7805ZTRPBF
仓库库存编号：
IRF7805ZPBFCT-ND
别名：*IRF7805ZTRPBF
IRF7805ZPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 47A 8-SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Tc） 1.6W（Ta），44W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH3R203NL,L1Q
仓库库存编号：
TPH3R203NLL1QCT-ND
别名：TPH3R203NL,L1QCT
TPH3R203NL,L1QCT-ND
TPH3R203NLL1QCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.6A（Ta） 1.47W（Ta） 4-Microfoot
型号：
SI8409DB-T1-E1
仓库库存编号：
SI8409DB-T1-E1CT-ND
别名：SI8409DB-T1-E1CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.4A（Ta），68A（Tc） 1.04W（Ta），75W（Tc） DPAK
型号：
NTD4302T4G
仓库库存编号：
NTD4302T4GOSCT-ND
别名：NTD4302T4GOSCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 116A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），116A（Tc） 110W（Tc） TO-252AA
型号：
FDD8874
仓库库存编号：
FDD8874CT-ND
别名：FDD8874CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF8788TRPBF
仓库库存编号：
IRF8788TRPBFCT-ND
别名：IRF8788TRPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8A 2.9W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4830CDY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4830CDY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4830CDY-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 3W（Ta） 8-SO
型号：
FDS6298
仓库库存编号：
FDS6298CT-ND
别名：FDS6298CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V SYNCFET POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），42A（Tc） 2.5W（Ta），65W（Tc） Power56
型号：
FDMS7670AS
仓库库存编号：
FDMS7670ASFSCT-ND
别名：FDMS7670ASFSCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7806ADN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7806ADN-T1-E3CT-ND
别名：SI7806ADN-T1-E3CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SISA04DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SISA04DN-T1-GE3CT-ND
别名：SISA04DN-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 30V 10.3A, 17.9A 1.1W, 1.2W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号：
NTMFD4901NFT1G
仓库库存编号：
NTMFD4901NFT1GOSCT-ND
别名：NTMFD4901NFT1GOSCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
FDFS6N548
仓库库存编号：
FDFS6N548CT-ND
别名：FDFS6N548CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? ChipFET 单通道
型号：
SI5418DU-T1-GE3
仓库库存编号：
SI5418DU-T1-GE3CT-ND
别名：SI5418DU-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 23.5A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 23.5A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD17553Q5A
仓库库存编号：
296-30602-1-ND
别名：296-30602-1
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 161A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR7843TRPBF
仓库库存编号：
IRLR7843PBFCT-ND
别名：*IRLR7843TRPBF
IRLR7843PBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 61A（Tc） 87W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3708TRPBF
仓库库存编号：
IRFR3708TRPBFCT-ND
别名：IRFR3708TRPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90N03S4L-02
仓库库存编号：
IPD90N03S4L-02CT-ND
别名：IPD90N03S4L-02CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC020N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC020N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC020N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC020N03MSGINCT
BSC020N03MSGINCT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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