规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 116A(Tc) 180W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL2203NPBF
仓库库存编号:
IRL2203NPBF-ND
别名:*IRL2203NPBF
SP001573688
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3709SPBF
仓库库存编号:
IRF3709SPBF-ND
别名:*IRF3709SPBF
SP001571378
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) I2PAK
型号:
STB100NF03L-03-1
仓库库存编号:
497-15805-5-ND
别名:497-15805-5
STB100NF03L-03-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 210A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 210A(Tc) 3.8W(Ta),230W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP3703PBF
仓库库存编号:
IRFP3703PBF-ND
别名:*IRFP3703PBF
SP001556744
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.4A(Ta) 700mW(Ta) TSM
型号:
SSM3J306T(TE85L,F)
仓库库存编号:
SSM3J306T(TE85LF)CT-ND
别名:SSM3J306T(TE85LF)CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 0.3A EMT5
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 300mA 150mW Surface Mount EMT5
型号:
EM5K5T2R
仓库库存编号:
EM5K5T2RCT-ND
别名:EM5K5T2RCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 760mA(Ta) 540mW(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML5103GTRPBF
仓库库存编号:
IRLML5103GTRPBFCT-ND
别名:IRLML5103GTRPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.8A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRF5805TRPBF
仓库库存编号:
IRF5805TRPBFCT-ND
别名:IRF5805TRPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta) 1W(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMG7408SFG-7
仓库库存编号:
DMG7408SFG-7DICT-ND
别名:DMG7408SFG-7DICT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7A, 11A 2W Surface Mount HSML3030L10
型号:
HS8K11TB
仓库库存编号:
HS8K11TBCT-ND
别名:HS8K11TBCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta) 2W(Ta) 8-HSMT(3.2x3)
型号:
RQ3E150BNTB
仓库库存编号:
RQ3E150BNTBCT-ND
别名:RQ3E150BNTBCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.3A(Ta) 900mW(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMN3030LFG-7
仓库库存编号:
DMN3030LFG-7DICT-ND
别名:DMN3030LFG-7DICT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6L
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 2.4W(Ta),13W(Tc) PowerPAK? SC-75-6L 单
型号:
SIB408DK-T1-GE3
仓库库存编号:
SIB408DK-T1-GE3CT-ND
别名:SIB408DK-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 2A TUMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 1W(Ta) TUMT6
型号:
RSL020P03TR
仓库库存编号:
RSL020P03TRCT-ND
别名:RSL020P03TRCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 18A 8HSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 3W(Ta),25W(Tc) 8-HSOP
型号:
RS1E180BNTB
仓库库存编号:
RS1E180BNTBCT-ND
别名:RS1E180BNTBCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 1.42W(Ta) 8-SO
型号:
DMG4466SSSL-13
仓库库存编号:
DMG4466SSSL-13DICT-ND
别名:DMG4466SSSL-13DICT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 31W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N03S4L14ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N03S4L14ATMA1CT-ND
别名:IPD30N03S4L-14CT
IPD30N03S4L-14CT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 1A(Ta) 1.25W(Ta) TSMT6(SC-95)
型号:
QS6U24TR
仓库库存编号:
QS6U24CT-ND
别名:QS6U24CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 39A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),39A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC120N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC120N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC120N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC120N03LSGINCT
BSC120N03LSGINCT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Ta) 1W(Ta) TUMT5
型号:
US5U3TR
仓库库存编号:
US5U3CT-ND
别名:US5U3CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 900mW(Ta) TSMT5
型号:
QS5U17TR
仓库库存编号:
QS5U17CT-ND
别名:QS5U17CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF8707GTRPBF
仓库库存编号:
IRF8707GTRPBFCT-ND
别名:IRF8707GTRPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA16DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA16DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA16DP-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT6
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Ta) 1W(Ta) TUMT6
型号:
US6U37TR
仓库库存编号:
US6U37CT-ND
别名:US6U37CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8WDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Ta),37A(Tc) 810mW(Ta),20.8W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NTTFS4928NTAG
仓库库存编号:
NTTFS4928NTAGOSCT-ND
别名:NTTFS4928NTAGOSCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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