规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 30V SOT963
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 220mA, 200mA 350mW Surface Mount SOT-963
型号:
DMC31D5UDJ-7B
仓库库存编号:
DMC31D5UDJ-7BDICT-ND
别名:DMC31D5UDJ-7BDICT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V 4A 6DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 4A(Ta) 1.7W(Ta),12.5W(Tc) 6-DFN2020MD(2x2)
型号:
PMPB47XP,115
仓库库存编号:
1727-1375-1-ND
别名:1727-1375-1
568-10824-1
568-10824-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 4.5A MCPH6
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 4.5A(Ta) 1.5W(Ta) SC-88FL/ MCPH6
型号:
MCH6342-TL-W
仓库库存编号:
MCH6342-TL-WOSCT-ND
别名:MCH6342-TL-WOSCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFETBVDSS:25V 30VU-DFN2020-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7A(Ta) 2.1W(Ta) U-DFN2020-6(F 类)
型号:
DMN3042LFDF-7
仓库库存编号:
DMN3042LFDF-7DICT-ND
别名:DMN3042LFDF-7DICT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 30V 3A MIDDLE POWER MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3A(Ta) 1W(Tc) TSMT3
型号:
RQ5E030AJTCL
仓库库存编号:
RQ5E030AJTCLCT-ND
别名:RQ5E030AJTCLCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 5A(Ta) 2W(Ta) SOT-26
型号:
TSM3457CX6 RFG
仓库库存编号:
TSM3457CX6 RFGTR-ND
别名:TSM3457CX6 RFGTR
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 5A(Ta) 2W(Ta) SOT-26
型号:
TSM3457CX6 RFG
仓库库存编号:
TSM3457CX6 RFGCT-ND
别名:TSM3457CX6 RFGCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 5A(Ta) 2W(Ta) SOT-26
型号:
TSM3457CX6 RFG
仓库库存编号:
TSM3457CX6 RFGDKR-ND
别名:TSM3457CX6 RFGDKR
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 4.7A(Tc) 2.1W(Tc) 8-SOP
型号:
TSM600P03CS RLG
仓库库存编号:
TSM600P03CS RLGTR-ND
别名:TSM600P03CS RLGTR
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 4.7A(Tc) 2.1W(Tc) 8-SOP
型号:
TSM600P03CS RLG
仓库库存编号:
TSM600P03CS RLGCT-ND
别名:TSM600P03CS RLGCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 4.7A(Tc) 2.1W(Tc) 8-SOP
型号:
TSM600P03CS RLG
仓库库存编号:
TSM600P03CS RLGDKR-ND
别名:TSM600P03CS RLGDKR
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 8A TSOP-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 8A(Ta) 2W(Ta),4.2W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3417DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3417DV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3417DV-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 1.8A SOT363
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 1.8A 800mW Surface Mount SC-88FL/ MCPH6
型号:
MCH6661-TL-W
仓库库存编号:
MCH6661-TL-WOSCT-ND
别名:MCH6661-TL-WOSCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8A(Tc) 3.6W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3424CDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3424CDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3424CDV-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 30V SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2.5A(Tc) 1.9W(Tc) TO-236(SOT-23)
型号:
SQ2303ES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2303ES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2303ES-T1_GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Tc) 26.5W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SISA96DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISA96DN-T1-GE3CT-ND
别名:SISA96DN-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFETBVDSS:25V 30VU-DFN2020-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta) 2.02W(Ta) U-DFN2020-6(F 类)
型号:
DMN3016LFDF-7
仓库库存编号:
DMN3016LFDF-7DICT-ND
别名:DMN3016LFDF-7DICT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 44A LL LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 44A(Tc) 34W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN9R5-30YLC,115
仓库库存编号:
1727-5910-1-ND
别名:1727-5910-1
568-7593-1
568-7593-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2.7A(Tc) 2.3W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2303CDS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2303CDS-T1-E3CT-ND
别名:SI2303CDS-T1-E3CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 2.3A PICOSTAR
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2.3A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
型号:
CSD17382F4T
仓库库存编号:
296-44148-1-ND
别名:296-44148-1
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 30V 4A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 4A(Ta) 2.4W(Ta) PowerFlat?(2x2)
型号:
STL4P3LLH6
仓库库存编号:
497-15510-1-ND
别名:497-15510-1
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
4V DRIVE PCH+PCH MOSFET
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.5A 1.25W Surface Mount 8-TSST
型号:
TT8J3TR
仓库库存编号:
TT8J3TRCT-ND
别名:TT8J3TRCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 51A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 51A(Tj) 34W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN7R5-30YLDX
仓库库存编号:
1727-1795-1-ND
别名:1727-1795-1
568-11378-1
568-11378-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 52A(Tc) 37W(Tc) 8-PDFN(3x3)
型号:
TSM085N03PQ33 RGG
仓库库存编号:
TSM085N03PQ33 RGGTR-ND
别名:TSM085N03PQ33 RGGTR
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 52A(Tc) 37W(Tc) 8-PDFN(3x3)
型号:
TSM085N03PQ33 RGG
仓库库存编号:
TSM085N03PQ33 RGGCT-ND
别名:TSM085N03PQ33 RGGCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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