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• Vishay Siliconix
  MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 15.7A (Ta), 100A (Tc) 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-Power33 (3x3)
  
  型号：SIZ342DT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIZ342DT-T1-GE3CT-ND
  别名：SIZ342DT-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 63A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 63A（Tc） 107W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK9214-30A,118
  仓库库存编号：1727-7177-1-ND
  别名：1727-7177-1
  568-9663-1
  568-9663-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 14.9A（Tc） 6.9W（Tc） 8-SO
  
  型号：PMK30EP,518
  仓库库存编号：1727-7203-1-ND
  别名：1727-7203-1
  568-9694-1
  568-9694-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.4A, 9.7A 1.4W, 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7902TRPBF
  仓库库存编号：IRF7902TRPBFCT-ND
  别名：IRF7902TRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 31.3A 8SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 31.3A（Tc） 6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4010DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4010DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4010DY-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3.7A 3.12W, 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5504BDC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5504BDC-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5504BDC-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9A（Tc） 4.2W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4431CDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4431CDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4431CDY-T1-E3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 75A（Tc） 167W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK9207-30B,118
  仓库库存编号：1727-5256-1-ND
  别名：1727-5256-1
  568-6581-1
  568-6581-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 13A 8-SO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMP3015LSSQ-13
  仓库库存编号：DMP3015LSSQ-13DICT-ND
  别名：DMP3015LSSQ-13DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 109W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN1R5-30YL,115
  仓库库存编号：1727-4632-1-ND
  别名：1727-4632-1
  568-5589-1
  568-5589-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 160A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 22A（Ta），106A（Tc） 1.7W（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4983NFT1G
  仓库库存编号：NTMFS4983NFT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS4983NFT1GOSCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Rohm Semiconductor
  30V NCH NCH MID POWER MOSFET
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 27A, 57A 25W Surface Mount 8-HSOP
  
  型号：HP8K22TB
  仓库库存编号：HP8K22TBCT-ND
  别名：HP8K22TBCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 88A（Tc） 90W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH3R003PL,LQ
  仓库库存编号：TPH3R003PLLQCT-ND
  别名：TPH3R003PLLQCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 52A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta），52A（Tc） 760mW（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4C59NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4C59NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS4C59NT1GOSCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 32A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 32A（Tc） 47W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN017-30BL,118
  仓库库存编号：1727-7128-1-ND
  别名：1727-7128-1
  568-9504-1
  568-9504-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N03S4L03ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N03S4L03ATMA1CT-ND
  别名：IPB80N03S4L-03CT
  IPB80N03S4L-03CT-ND
  IPB80N03S4L03ATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8.6A（Ta） 900mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMP3008SFGQ-7
  仓库库存编号：DMP3008SFGQ-7DICT-ND
  别名：DMP3008SFGQ-7DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 60A SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ407EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ407EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ407EP-T1_GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 104W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN1R603PL,L1Q
  仓库库存编号：TPN1R603PLL1QCT-ND
  别名：TPN1R603PLL1QCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V PWRFLT2X2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.4W（Tc） PowerFlat?（2x2）
  
  型号：STL6N3LLH6
  仓库库存编号：497-13651-1-ND
  别名：497-13651-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 35A 27W, 48W Surface Mount 6-PowerPair?
  
  型号：SIZ730DT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIZ730DT-T1-GE3CT-ND
  别名：SIZ730DT-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD35NF3LLT4
  仓库库存编号：497-2475-1-ND
  别名：497-2475-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 100A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 57W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA60DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA60DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRA60DP-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 17A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TSM4459CS RLG
  仓库库存编号：TSM4459CS RLGTR-ND
  别名：TSM4459CS RLGTR
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 17A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TSM4459CS RLG
  仓库库存编号：TSM4459CS RLGCT-ND
  别名：TSM4459CS RLGCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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