规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 30V 18A 8HSSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),70A(Tc) 2W(Ta),28W(Tc) 8-HSSO
型号:
SK8403160L
仓库库存编号:
P16263CT-ND
别名:P16263CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.9A 1.8W Surface Mount 8-SO
型号:
ZXMN3A06DN8TA
仓库库存编号:
ZXMN3A06DN8CT-ND
别名:ZXMN3A06DN8CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
STS10N3LH5
仓库库存编号:
497-10010-1-ND
别名:497-10010-1
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.5A 900mW Surface Mount 8-SO
型号:
FDS6990A
仓库库存编号:
FDS6990ACT-ND
别名:FDS6990ACT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 64A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 64A(Tc) 4.8W(Ta),62.5W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL58N3LLH5
仓库库存编号:
497-16041-1-ND
别名:497-16041-1
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.9A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SI7212DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7212DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7212DN-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),46A(Tc) 3.3W(Ta),56W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD6690A
仓库库存编号:
FDD6690ACT-ND
别名:FDD6690ACT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 45A(Tc) 700mW(Ta),42W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPN2R203NC,L1Q
仓库库存编号:
TPN2R203NCL1QCT-ND
别名:TPN2R203NC,L1QCT
TPN2R203NC,L1QCT-ND
TPN2R203NCL1QCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 28A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Ta),116A(Tc) 2.5W(Ta),78W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS8820
仓库库存编号:
FDMS8820CT-ND
别名:FDMS8820CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 10A 2.5W Surface Mount 8-SO
型号:
STS10DN3LH5
仓库库存编号:
497-10011-1-ND
别名:497-10011-1
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 17.8W, 23W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SI7224DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7224DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7224DN-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),62.5W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA06DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA06DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA06DP-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 306W(Tc) D2PAK
型号:
BUK661R6-30C,118
仓库库存编号:
1727-5516-1-ND
别名:1727-5516-1
568-6995-1
568-6995-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
STS9NH3LL
仓库库存编号:
497-6189-1-ND
别名:497-6189-1
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7386DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7386DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7386DP-T1-E3CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7386DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7386DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7386DP-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 31A
详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Ta),49A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS0300S
仓库库存编号:
FDMS0300SCT-ND
别名:FDMS0300SCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8A 2.9W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4830CDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4830CDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4830CDY-T1-E3CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta) 2W(Ta) 8-HSMT(3.2x3)
型号:
RQ3E150MNTB1
仓库库存编号:
RQ3E150MNTB1CT-ND
别名:RQ3E150MNTB1CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 29A
详细描述:表面贴装 N 沟道 29A(Ta),49A(Tc) 2.5W(Ta),89W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS0302S
仓库库存编号:
FDMS0302SCT-ND
别名:FDMS0302SCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 7A SOP8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7A 2W Surface Mount 8-SOP
型号:
SH8K3TB1
仓库库存编号:
SH8K3TB1CT-ND
别名:SH8K3TB1CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Ta) 3W(Ta),34.6W(Tc) 8-HSOP
型号:
RS1E320GNTB
仓库库存编号:
RS1E320GNTBCT-ND
别名:RS1E320GNTBCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Ta) 1.4W(Ta) 8-SO
型号:
SI4812BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4812BDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4812BDY-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON
详细描述:表面贴装 P 沟道 18A(Ta) 700mW(Ta),27W(Tc) 8-TSON
型号:
TPCC8103(TE12L,QM)
仓库库存编号:
TPCC8103(TE12LQM)CT-ND
别名:TPCC8103(TE12LQM)CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Ta) 1.4W(Ta) 8-SO
型号:
SI4812BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4812BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4812BDY-T1-E3CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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