品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 5.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9014N
仓库库存编号:
IRFR9014N-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 48A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44ESTRL
仓库库存编号:
IRFZ44ESTRL-ND
别名:SP001552444
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 55A(Tc) 115W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44VS
仓库库存编号:
IRFZ44VS-ND
别名:*IRFZ44VS
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 5.1A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 60V 5.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU9014N
仓库库存编号:
IRFU9014N-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 72A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 72A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ48VS
仓库库存编号:
IRFZ48VS-ND
别名:*IRFZ48VS
SP001557876
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 55A(Tc) 115W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44VSTRL
仓库库存编号:
IRFZ44VSTRL-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 55A(Tc) 115W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44VSTRR
仓库库存编号:
IRFZ44VSTRR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 60V 8.8A(Tc) 42W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
SPP08P06PBKSA1
仓库库存编号:
SPP08P06PBKSA1-ND
别名:SP000012085
SPP08P06P
SPP08P06PIN
SPP08P06PIN-ND
SPP08P06PX
SPP08P06PXK
SPP08P06PXTIN
SPP08P06PXTIN-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 60V 18.7A(Ta) 81.1W(Ta) PG-TO-220-3
型号:
SPP18P06PHKSA1
仓库库存编号:
SPP18P06PHKSA1-ND
别名:SP000012300
SPP18P06P
SPP18P06PIN
SPP18P06PIN-ND
SPP18P06PX
SPP18P06PXK
SPP18P06PXTIN
SPP18P06PXTIN-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 1.8A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP295E6327
仓库库存编号:
BSP295INCT-ND
别名:BSP295INCT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.17A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP315P-E6327
仓库库存编号:
BSP315PINCT-ND
别名:BSP315PE6327
BSP315PINCT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 230mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS138N-E6327
仓库库存编号:
BSS138NEINCT-ND
别名:BSS138INCT
BSS138INCT-ND
BSS138NE6327
BSS138NEINCT
BSS138NEXTINCT
BSS138NEXTINCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS84P-E6327
仓库库存编号:
BSS84PINCT-ND
别名:BSS84PE6327
BSS84PINCT
BSS84PXTINCT
BSS84PXTINCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO-251
详细描述:通孔 P 沟道 60V 9.7A(Tc) 42W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU09P06PL
仓库库存编号:
SPU09P06PLIN-ND
别名:SP000012876
SPU09P06PLIN
SPU09P06PLX
SPU09P06PLXTIN
SPU09P06PLXTIN-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 80A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 60V 80A(Tc) 340W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
SPP80P06PBKSA1
仓库库存编号:
SPP80P06PBKSA1-ND
别名:SP000012840
SPP80P06P
SPP80P06PIN
SPP80P06PIN-ND
SPP80P06PX
SPP80P06PXK
SPP80P06PXTIN
SPP80P06PXTIN-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-251
详细描述:通孔 P 沟道 60V 8.83A(Ta) 42W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU08P06P
仓库库存编号:
SPU08P06PIN-ND
别名:SP000012086
SPU08P06PIN
SPU08P06PX
SPU08P06PXTIN
SPU08P06PXTIN-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2A 2W Surface Mount P-DSO-8
型号:
BSO612CV
仓库库存编号:
BSO612CVINCT-ND
别名:BSO612CVINCT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.6A 2W Surface Mount PG-DSO-8
型号:
BSO615N
仓库库存编号:
BSO615NINCT-ND
别名:BSO615NINCT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP170PE6327
仓库库存编号:
BSP170PE6327INCT-ND
别名:BSP170PE6327INCT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP171PE6327
仓库库存编号:
BSP171PE6327INCT-ND
别名:BSP171PE6327INCT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 330mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS83PE6327
仓库库存编号:
BSS83PE6327INCT-ND
别名:BSS83PE6327INCT
BSS83PE6327XTINCT
BSS83PE6327XTINCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 9.7A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 9.7A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD09P06PL
仓库库存编号:
SPD09P06PLINCT-ND
别名:SPD09P06PLINCT
SPD09P06PLXTINCT
SPD09P06PLXTINCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 30A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30P06P
仓库库存编号:
SPD30P06PINCT-ND
别名:SPD30P06PINCT
SPD30P06PXTINCT
SPD30P06PXTINCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 57A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 57A(Tc) 92W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ44VZ
仓库库存编号:
IRFZ44VZ-ND
别名:*IRFZ44VZ
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 57A(Tc) 92W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44VZS
仓库库存编号:
IRFZ44VZS-ND
别名:*IRFZ44VZS
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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