规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 14A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 14A(Tc) 1.7W(Ta) TO-252
型号:
DMP6180SK3-13
仓库库存编号:
DMP6180SK3-13DICT-ND
别名:DMP6180SK3-13DICT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 3.3A 1.2W 8-SO
型号:
DMP6110SSD-13
仓库库存编号:
DMP6110SSD-13DICT-ND
别名:DMP6110SSD-13DICT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 1.5W(Ta),48W(Tj) DPAK
型号:
NTD3055-094T4G
仓库库存编号:
NTD3055-094T4GOSCT-ND
别名:NTD3055-094T4GOS
NTD3055-094T4GOS-ND
NTD3055-094T4GOSCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 1.5W(Ta),48W(Tj) DPAK
型号:
NTD3055L104T4G
仓库库存编号:
NTD3055L104T4GOSCT-ND
别名:NTD3055L104T4GOS
NTD3055L104T4GOS-ND
NTD3055L104T4GOSCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 10.6A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Ta) 1.23W(Ta) PowerDI5060-8
型号:
DMT6016LPS-13
仓库库存编号:
DMT6016LPS-13DICT-ND
别名:DMT6016LPS-13DICT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta) 1.5W(Ta),28.5W(Tj) DPAK
型号:
NTD3055L170T4G
仓库库存编号:
NTD3055L170T4GOSCT-ND
别名:NTD3055L170T4GOSCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 230mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS159NH6906XTSA1
仓库库存编号:
BSS159NH6906XTSA1CT-ND
别名:BSS159N H6906CT
BSS159N H6906CT-ND
BSS159NH6906XTSA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 7.2A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.2A(Ta),23.6A(Tc) 1.9W(Ta) TO-252,(D-Pak)
型号:
DMPH6050SK3-13
仓库库存编号:
DMPH6050SK3-13DICT-ND
别名:DMPH6050SK3-13DICT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 44A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 44A(Tc) 74W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN017-60YS,115
仓库库存编号:
1727-4626-1-ND
别名:1727-4626-1
568-5581-1
568-5581-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.7A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223
型号:
IRFL014TRPBF
仓库库存编号:
IRFL014PBFCT-ND
别名:*IRFL014TRPBF
IRFL014PBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.8A(Tc) 2.1W(Tc) SOT-223-4
型号:
FQT13N06LTF
仓库库存编号:
FQT13N06LTFCT-ND
别名:FQT13N06LTFCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Ta) 1.3W(Ta) SOT-223(TO-261)
型号:
NTF3055-100T1G
仓库库存编号:
NTF3055-100T1GOSCT-ND
别名:NTF3055-100T1GOSCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.3A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3427AEEV-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ3427AEEV-T1_GE3CT-ND
别名:SQ3427AEEV-T1_GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 1.6W(Ta),34W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPH11006NL,LQ
仓库库存编号:
TPH11006NLLQCT-ND
别名:TPH11006NLLQCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 500mW(Ta) MPT3
型号:
RHP020N06T100
仓库库存编号:
RHP020N06T100CT-ND
别名:RHP020N06T100CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.8A(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZXMN6A08GTA
仓库库存编号:
ZXMN6A08GCT-ND
别名:ZXMN6A08GCT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.8A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP295H6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP295H6327XTSA1CT-ND
别名:BSP295H6327XTSA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),50A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC100N06LS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC100N06LS3GATMA1CT-ND
别名:BSC100N06LS3 GCT
BSC100N06LS3 GCT-ND
BSC100N06LS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-SO
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.6A(Ta) 1.2W(Ta) 8-SO
型号:
DMP6023LSS-13
仓库库存编号:
DMP6023LSS-13DICT-ND
别名:DMP6023LSS-13DICT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2P-CH 60V 4.8A 8-SO
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 4.8A 1.2W Surface Mount 8-SO
型号:
DMP6050SSD-13
仓库库存编号:
DMP6050SSD-13DICT-ND
别名:DMP6050SSD-13DICT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 62W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQ7414AEN-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ7414AEN-T1_GE3CT-ND
别名:SQ7414AEN-T1_GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 4.4A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.4A(Ta) 2.11W(Ta) TO-252-3
型号:
ZXMP6A17KTC
仓库库存编号:
ZXMP6A17KTCDICT-ND
别名:ZXMP6A17KTCDICT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 46A(Tc) 2.5W(Ta),36W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC097N06NSATMA1
仓库库存编号:
BSC097N06NSATMA1CT-ND
别名:BSC097N06NSATMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 模具
型号:
EPC2035
仓库库存编号:
917-1099-1-ND
别名:917-1099-1
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V LFPAK33
详细描述:表面贴装 N 沟道 61A(Tc) 91W(Tc) LFPAK33
型号:
PSMN011-60MLX
仓库库存编号:
1727-1505-1-ND
别名:1727-1505-1
568-10985-1
568-10985-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 60V,
无铅
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