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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 60V 22A 8-SOP ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH7R506NH,L1Q
  仓库库存编号：TPH7R506NHL1QCT-ND
  别名：TPH7R506NHL1QCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 16A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 90W（Tc） TO-252AA
  
  型号：RFD16N06LESM9A
  仓库库存编号：RFD16N06LESM9ACT-ND
  别名：RFD16N06LESM9ACT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 143W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3636TRPBF
  仓库库存编号：IRLR3636TRPBFCT-ND
  别名：IRLR3636TRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 2.7A 1.81W Surface Mount 8-SO
  
  型号：ZXMP6A17DN8TA
  仓库库存编号：ZXMP6A17DN8CT-ND
  别名：ZXMP6A17DN8CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
  详细描述：通孔 P 沟道 12A（Ta） 55W（Tj） I-Pak
  
  型号：NTD2955-1G
  仓库库存编号：NTD2955-1GOS-ND
  别名：NTD2955-1G-ND
  NTD2955-1GOS
  NTD29551G
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 8A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7351TRPBF
  仓库库存编号：IRF7351TRPBFCT-ND
  别名：IRF7351TRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V 160MA TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 160mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVP3306A
  仓库库存编号：ZVP3306A-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 1.7W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4850EY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4850EY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4850EY-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 56A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 96W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK9614-60E,118
  仓库库存编号：1727-7259-1-ND
  别名：1727-7259-1
  568-9888-1
  568-9888-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 1.5W（Ta），48W（Tj） I-Pak
  
  型号：NTD3055L104-1G
  仓库库存编号：NTD3055L104-1GOS-ND
  别名：NTD3055L104-1G-ND
  NTD3055L104-1GOS
  NTD3055L1041G
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 14A 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），42A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS86520
  仓库库存编号：FDMS86520CT-ND
  别名：FDMS86520CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 270mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：VN10LP
  仓库库存编号：VN10LP-ND
  别名：FVN10LP
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 74A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 74A（Tc） 130W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN4R0-60YS,115
  仓库库存编号：1727-2470-1-ND
  别名：1727-2470-1
  568-12855-1
  568-12855-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 34A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 97W（Tc） D2PAK
  
  型号：PHB32N06LT,118
  仓库库存编号：1727-4764-1-ND
  别名：1727-4764-1
  568-5941-1
  568-5941-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 167W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD034N06N3 G
  仓库库存编号：IPD034N06N3 GINCT-ND
  别名：IPD034N06N3 GINCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 450mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN2106A
  仓库库存编号：ZVN2106A-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 238W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y4R8-60EX
  仓库库存编号：1727-1487-1-ND
  别名：1727-1487-1
  568-10967-1
  568-10967-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32.1A（Tc） 7.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4062DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4062DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4062DY-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 40A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 75W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SQD40N06-14L_GE3
  仓库库存编号：SQD40N06-14L_GE3CT-ND
  别名：SQD40N06-14L_GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），50A（Tc） 135W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD10AN06A0
  仓库库存编号：FDD10AN06A0CT-ND
  别名：FDD10AN06A0CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN4206A
  仓库库存编号：ZVN4206A-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN4206AV
  仓库库存编号：ZVN4206AV-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TN0106N3-G
  仓库库存编号：TN0106N3-G-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 3.2A 1.5W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7949DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7949DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7949DP-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 270mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN3306A
  仓库库存编号：ZVN3306A-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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