规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 7A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 7A（Tc） 45W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP7P06
仓库库存编号：
FQP7P06-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7W（Ta）, 110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C628NLT1G
仓库库存编号：
NTMFS5C628NLT1GOSCT-ND
别名：NTMFS5C628NLT1GOSCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 270mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
型号：
BS170P
仓库库存编号：
BS170P-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 6.8A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 6.8A（Ta） 2.15W（Ta） TO-252-3
型号：
ZXMP6A18KTC
仓库库存编号：
ZXMP6A18KTCCT-ND
别名：ZXMP6A18KTCCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC031N06NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC031N06NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC031N06NS3 GCT
BSC031N06NS3 GCT-ND
BSC031N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 92A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 92A（Tc） 149W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN7R6-60BS,118
仓库库存编号：
1727-7215-1-ND
别名：1727-7215-1
568-9706-1
568-9706-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 320mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
TP0606N3-G
仓库库存编号：
TP0606N3-G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 280mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVP2106A
仓库库存编号：
ZVP2106A-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 38W（Tc） TO-251AA
型号：
RFD3055LE
仓库库存编号：
RFD3055LE-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 63A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 63A（Tc） 107W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP5864NG
仓库库存编号：
NTP5864NGOS-ND
别名：NTP5864NG-ND
NTP5864NGOS
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS5670
仓库库存编号：
FDS5670CT-ND
别名：FDS5670CT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRLZ14PBF
仓库库存编号：
IRLZ14PBF-ND
别名：*IRLZ14PBF
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD014PBF
仓库库存编号：
IRFD014PBF-ND
别名：*IRFD014PBF
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP
详细描述：通孔 P 沟道 1.1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD9014PBF
仓库库存编号：
IRFD9014PBF-ND
别名：*IRFD9014PBF
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），90A（Tc） 2.2W（Ta），78W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB028N06NN3 G
仓库库存编号：
BSB028N06NN3 GCT-ND
别名：BSB028N06NN3 GCT
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRLD014PBF
仓库库存编号：
IRLD014PBF-ND
别名：*IRLD014PBF
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ14PBF
仓库库存编号：
IRFZ14PBF-ND
别名：*IRFZ14PBF
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 6.7A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9Z14PBF
仓库库存编号：
IRF9Z14PBF-ND
别名：*IRF9Z14PBF
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 2.4A TO220AB
详细描述：通孔 P 沟道 2.4A（Ta） 2.4W（Ta），62.5W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP2955G
仓库库存编号：
NTP2955GOS-ND
别名：NTP2955G-ND
NTP2955GOS
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK
详细描述：通孔 P 沟道 9.4A（Tc） 2.5W（Ta），38W（Tc） I-Pak
型号：
FQU11P06TU
仓库库存编号：
FQU11P06TU-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 23A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC028N06NSATMA1
仓库库存编号：
BSC028N06NSATMA1CT-ND
别名：BSC028N06NS
BSC028N06NS-ND
BSC028N06NSATMA1CT
BSC028N06NSCT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） I-Pak
型号：
FQU13N06LTU
仓库库存编号：
FQU13N06LTU-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 13.6A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 13.6A（Tc） 45W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP13N06L
仓库库存编号：
FQP13N06L-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） I-Pak
型号：
FQU13N06LTU_WS
仓库库存编号：
FQU13N06LTU_WS-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
详细描述：通孔 P 沟道 12A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） I-Pak
型号：
FQU17P06TU
仓库库存编号：
FQU17P06TU-ND
规格：漏源电压（Vdss） 60V,
无铅
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